SK海力士全新路线图公布，转型“全栈AI存储创造者”！ - 通信人家园

时间: 2025-11-4 10:15

作者: PH值 标题: SK海力士全新路线图公布，转型“全栈AI存储创造者”！

11月3日，在韩国首尔举行的“SK AI Summit 2025”峰会上，韩国存储芯片大厂SK 海力士（SK hynix）CEO Kwak Noh-Jung 正式宣布转型“全线AI存储创造者”（Full Stack AI Memory Creator）的新愿景，并公布了公司最新的产品路线图，以期在迎接下一个AI时代之前，SK 海力士能深化其存储领导者的地位。

Kwak Noh-Jung 指出，尽管AI 的采用正在加速，导致信息流量爆炸性增长，但支持这些增长的硬件技术，尤其是存储性能，未能与处理器的进步保持同步，形成了所谓的“存储墙高墙”（Memory Wall）的障碍。为了解决这一难题，存储芯片不再只是一个普通元件，而是正在演变成AI 产业中的核心价值产品。

对此，SK 海力士迄今为止一直扮演着“全栈存储供应商”（Full Stack Memory Provider）的角色，专注于及时提供符合客户需求的产品。然而，随着存储重要性的增加，SK海力士公司认为单纯的“供应商”角色已不足以满足市场需求。因此，新的目标是转型成为“全线AI存储创造者”，代表着SK海力士将做为共同架构师、合作伙伴和生态贡献者（co-architect，partner，and eco-contributor），在AI 计算领域超越客户的期望，通过在生态系统中积极合作，共同解决客户面临的挑战。

为了实现新的愿景，Kwak Noh-Jung 也揭示了SK 海力士最新的产品阵容，包括定制化HBM（Custom HBM）、AI DRAM（AI-D）和AI NAND（AI-N）。这样的布局将取代传统存储解决方案多半以计算为中心的情况，改为朝向多元化和扩展存储功能的方向发展，目标是达成更高效的计算资源使用，并从结构上解决AI 推理瓶颈。

在定制化HBM (Custom HBM)方面，SK 海力士强调，AI 市场正在从商品化扩展到推理效率和优化。因此，HBM 也从传统产品演变为定制化产品。定制化HBM 是将GPU 和ASIC 的特定功能整合到HBM的逻辑Base die上的产品，以反映客户定制化需求。这项技术能够最大化GPU 和ASIC 的性能，同时通过HBM 减少数据传输功耗，进而显著提高系统效率。

为应对市场需求，SK 海力士也针对AI DRAM (AI-D)进一步的细分，准备提供最适合每个领域需求的内存解决方案。

1. AI-D O（Optimization）的优化：这是一种低功耗、高性能的DRAM，目的在降低总体拥有成本（TCO）并提高营运效率。该解决方案包括MRDIMM（Multiplexed Rank DIMM，多路复用双列直插式内存模块）、SOCAMM（小型外形压缩附着内存模块，用于AI 服务器的低功耗DRAM 内存模块）以及LPDDR5R（用于移动产品，具备可靠性、可用性、可服务性（RAS）特性的低电压DRAM）。

2. AI-D B（Breakthrough）的突破，这封面克服“内存墙”的解决方案产品。其特点是超高容量内存和灵活的内存分配。该类别包含CMM（Compute eXpress Link Memory Module，一种高效连接CPU、GPU、内存和其他元件的下一代界面）和PIM（Processing-In-Memory，一种将计算能力整合到内存中的下一代技术，用于解决AI 和大数据处理中的数据移动瓶颈）。

3. AI-D E（Expansion）的扩展：目的为扩展DRAM 的使用案例，不仅限于数据中心，还扩展至机器人、移动性（mobility）和工业自动化等领域。该解决方案包含LPDDR和HBM。

1. AI-N P（Performance）提高性能，强调超高性能。该解决方案目的在有效处理大规模AI 推理工作执行产生的大量数据。通过将储存与AI 操作之间的瓶颈降至最低，显著提高了处理速度和能源效率。SK 海力士计划设计具有新结构的NAND 和控制器，并目标在2026年底前发布样品。

2. AI-N B（Bandwidth）加大带宽。通过垂直堆叠NAND芯粒来扩大带宽，做为弥补HBM 容量增长限制的解决方案。其关键在于将HBM 的堆叠结构与高密度且具成本效益的NAND Flash闪存结合，例如HBF。

HBF 的设计概念与 HBM 相似，均通过硅通孔（TSV）技术将多层芯片堆叠连接。差别在于HBM以DRAM为核心，而HBF则采用NAND Flash闪存进行堆栈，具备“容量更大、成本更具优势”的特点。

3. AI-N D（Density）发展密度：借由达成超高容量来增强成本竞争力。这是一种高密度解决方案，适用于以低功耗和低成本储存大量AI数据。SK 海力士的目标是将存储密度从目前基于QLC 的固态硬盘（SSD）的太字节（TB）级别提高到拍字节（PB）级别，并实现一种结合SSD 速度和HDD 成本效益的中阶储存解决方案。

Kwak Noh-Jung 强调，在AI 时代，预计那些通过与客户和合作伙伴合作，创造更强大协同效应和卓越产品的公司将会取得成功。而做为与全球领导者合作的一部分，SK 海力士不仅与英伟达（NVIDIA）在HBM 方面进行合作，还利用NVIDIA Omniverse 通过“晶圆厂数字孪生”（fab digital twins）技术来提升晶圆厂生产力。SK海力士还与OpenAI 进行长期合作，供应高性能内存。此外，SK 海力士正与台积电（TSMC）就下一代HBM所需的逻辑制程基底芯粒（base dies）进行密切合作。

此外，在储存技术方面，SK海力士还与Sandisk 合作，共同制定HBF（高带宽闪存）的全球标准。同时，SK 海力士也与NAVER Cloud 合作，优化下一代AI内存和储存产品，使其适用于真实的数据中心环境。展望未来，SK 海力士将继续优先考虑客户满意度，与合作伙伴共同克服限制，开创未来。

SK集团董事长崔泰元（Chey Tae-won）在“SK AI Summit 2025”峰会上也指出，SK集团的AI愿景无法单凭一己之力实现。他强调，与英伟达、OpenAI、AWS等科技巨头建立深度合作关系是其战略的核心。

OpenAI 首席执行官 Sam Altman 也通过视频连线表示，与 SK 集团的合作对于打造强大的 AI 模型和普及先进的智能至关重要。

崔泰元还非常自信地表示：“SK海力士的技术能力已经在业内得到了充分的证明”，就连英伟达CEO黄仁勋“也不再询问我们的开发速度了。”

在SK海力士宣布转型“全栈AI存储创造者”的同时，SK海力士也公布了其最新的产品路线图，其整体的产品规划分为 2026年至2028年、2029年至2031年两个时间段，涵盖了HBM、DRAM、NAND三大产品线。

在HBM方面：SK海力士将会推出HBM4 16Hi 和 HBM4E 8/12/16Hi等标准解决方案，还有为客户定制的 HBM 解决方案；

在DRAM方面：SK海力士除了将推出LPDDR6标准解决方案外，还将推出全新的AI-DRAM解决方案，包括2026年左右推出的LPDDR6X SOCAMM2、MRDIMM Gen2、LPDDR5R，以及2028年左右推出支持第二代CXL标准的LPDDR6-PIM；

在NAND方面：SK海力士将会推出PCIe Gen6 eSSD（245TB+QLC）/ cSSD、PCIe Gen6 eSSD/cSSD、UFS 5.0 等标准解决方案，还会推出全新的面向 AI NAND的 AI-N D（Density）解决方案。

在HBM方面：SK海力士将会推出HBM5、HBM5E等标准解决方案，还有为客户定制的 HBM5和HBM5E解决方案；

需要指出的是，目前GDDR7的速率为30-32Gbps，三星是第一个为英伟达的RTX 50和RTX50 PRO Blackwell GPU提供GDDR7 DRAM的公司，几个月后美光和SK海力士也加入了这一行列。不过，GDDR7最高传输速率是48Gbps，预计该标准至少要到2027年至2028年才能得到充分利用；DDR6则预计是在2029-2031年商用；至于3D DRAM，则有点类似HBM，不过成本更低。

SK海力士还将会推出面向AI的AI DRAM产品，包括2029年左右推出的LPDDR6 SOCAMM2 、Al-D Expansion，以及2030年左右推出的第三代CXL标准的PIM-next。

在NAND方面：SK海力士将会推出PCIe Gen7 eSSD/cSSD、UFS6.0、400层以上堆叠的4D NAND等标准解决方案，以及面向AI的AI-N P（Performance）和AI-N B（Bandwidth）解决方案（比如HBF）。

针对全球AI需求持续激增导致的存储芯片供不应求的问题，SK集团董事长崔泰元也指出，追求效率，提供最高效的AI存储解决方案将是关键。

崔泰元表示，“人工智能的竞争应该从规模之争转向效率之争，如果我们继续只关注规模，将会耗费巨资并造成效率低下。我们需要找到更有效地利用资源的方法。”

此外，扩大存储芯片的产能供应也是必须的。崔泰元解释称，虽然AI芯片（如图形处理单元）的性能不断提高，但存储芯片供应却难以跟上步伐。“如今，我们收到了许多公司对存储芯片的需求，我非常担心如何满足所有这些需求。他还举例称，OpenAI最近向SK海力士提出每月提供90万片HBM晶圆的需求，用于其超大规模人工智能基础设施项目“星际之门”（Stargate）。这大约是全球所有公司HBM每月总产能的两倍。

为了解决这一瓶颈问题，崔泰元表示，SK集团将扩大存储芯片产能并提升技术。预计于 2027 年投产的全新 Yongin 半导体集群，其产能相当于 24 座M15X 晶圆厂——这是SK海力士最大的HBM芯片工厂。此外，SK海力士还将开发超高容量的存储芯片，以更低的成本提供更高的数据存储效率。