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标题: 300mm氮化镓全球首发 [查看完整版帖子] [打印本页]
时间: 2026-1-5 11:14
作者: coffee198375
标题: 300mm氮化镓全球首发
在IEDM 2025上，英特尔首次展示了一种基于300mm硅基氮化镓工艺的氮化镓Chiplet技术。该氮化镓Chiplet技术具有以下特点：
业界最薄的氮化镓Chiplet，其底层硅衬底厚度仅为19μm，取自完全加工、减薄和单晶化的300mm硅基氮化镓晶圆，并展现出卓越的晶体管性能和品质因数；
业界首个采用单片集成氮化镓N-MOSHEMT和硅PMOS工艺的全功能集成片上CMOS数字电路库，涵盖反相器、逻辑门、多路复用器、触发器和环形振荡器等；
TDDB、pBTI、HTRB和HCI测试结果令人满意，表明该300mm氮化镓MOSHEMT技术能够满足所需的可靠性指标。
英特尔认为，这项工作中展示的技术要素表明，300mm GaN-on-silicon 技术是一种有吸引力且功能强大的Chiplet技术，适用于高性能、高密度、高效功率和高速/射频电子产品。
时间: 2026-1-6 09:52
作者: 锦绣江山
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