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标题: 台积电改写GaN格局 [查看完整版帖子] [打印本页]

时间: 2026-2-15 16:25

作者: coffee198375 标题: 台积电改写GaN格局

过去十年，台积电是GaN行业的隐形支柱，台积电是全球唯一一家能够提供高低压双衬底GaN解决方案的晶圆代工厂。纳微半导（Navitas）、罗姆（ROHM）等头部玩家的旗舰产品，无一不诞生于台积电的6英寸及8英寸生产线。然而，2025 年 7 月，台积电对外明确，将逐步退出GaN foundry服务，并计划在2027年7月31日彻底完成退出。

因为台积电的这一决定，GaN的江湖格局正在被改写。

二线晶圆厂加紧接盘

随着台积电退出，GaN 纯代工正在从“先进代工牵引”，转向特色工艺晶圆厂主导。一批具备成熟工艺、成本优势和长期产能规划能力的二线晶圆代工厂，正加速承接其释放出的产能空位，成为新一轮 GaN 制造能力再配置的核心承载者。

格芯（GF）是这一轮接盘中最具战略意味的玩家之一。其在 2025 年 11 月 10 日官宣，已与台积电签署 GaN 技术授权协议，覆盖 650V（高压）与 80V（低压）两类电源工艺，并给出明确节奏：目标在 2026 年底前进入可用阶段。与此同时，GF 正将佛蒙特州工厂定位为美国战略性 GaN 生产中心，并获得超过 8000 万美元的联邦政府资金支持。这一布局并非单纯的商业扩产，而是将 GaN 明确纳入美国本土功率半导体与能源基础设施体系之中。

作为台积电的子公司，世界先进（VIS）于2026年1月28日官宣：已与台积电签署GaN技术授权协议，同样覆盖 650V与 80V，并强调其将扩展 GaN-on-Si 能力，形成“高低压+多衬底”的组合叙事。VIS的定位非常明确：利用成熟的8英寸产能，承接台积电退出的中低毛利订单，成为全球GaN代工的新重心。

台积电通过技术授权精准地扶持了一批继任者，其定义的工艺标准依然是事实上的行业准则。即便不再代工，它依然掌握着该领域的话语权和专利费分成。

在下游客户层面，作为台积电曾经最大的 GaN 客户，纳微半导（Navitas）的应对路径，清晰映射了 Fabless GaN 厂商的现实选择。随着台积电 2027 年停产节点逐步明确，Navitas 已迅速启动供应链“备胎计划”。

一方面与力积电（PSMC）达成量产合作。Navitas在2025年7月1日博文/公告中披露，与力积电（PSMC）规划 200mm GaN-on-Si 生产，100V 产品预计在 2026 年上半年率先量产；650V 产品将从其“现有供应商 TSMC”向 PSMC 在未来 12–24 个月内逐步转移。并且纳微把GaN需求直接对准 48V 基础设施、超大规模 AI 数据中心与电动车。

另一方面，Navitas 亦加深与格芯佛蒙特州产线的绑定关系，以进一步分散制造风险。

从更广泛的产业结构看，台积电的退出并未削弱 GaN 的产业价值，反而推动其制造能力向更广泛的特色工艺体系扩散，产能遍地开花。例如，2025 年 9 月，德国代工厂 X-Fab 正式推出 GaN-on-Si 晶圆代工服务，覆盖 MPW、原型制作及批量生产，进一步补齐欧洲在功率 GaN 代工侧的能力拼图。

当 GaN 不再依赖单一顶级先进代工厂，而是分布在 GF、VIS、PSMC、X-Fab 等多家特色工艺晶圆厂之中，其结果并非技术降级，而是 GaN 正式进入规模化产业扩散阶段：产能来源更加多元，供应瓶颈被打破，Fabless 与 IDM 均可在更可控的制造体系中制定中长期产品规划，产业链的整体弹性与覆盖面显著提升。

IDM模式，罗姆的选择

此前一直将650V耐压产品的前道工序委托给台积电的罗姆，近日在2026年2月4日举行的财报说明会上，罗姆社长东克己在回答《EE Times Japan》的提问时透露：“考虑到我司此前一直与台积电共同开发的渊源，我们已转向从台积电购买许可、进行自主生产的方向。”

生产将在罗姆半导体位于日本中部城市滨松的子公司进行。滨松以其制造业传统而闻名，罗姆半导体计划在那里建立一条新的8英寸（200毫米）晶圆生产线，专门用于生产氮化镓器件。

与此同时，罗姆也为潜在的需求超预期情形预留了产能弹性方案：在必要情况下，可将部分产能外包至台积电子公司世界先进（VIS），以平衡交付节奏与制造风险。

在 GaN 领域，IDM 路线的代表并不只有罗姆。包括英飞凌、意法半导体、安森美等功率半导体厂商，均在不同程度上将 GaN 纳入自身 IDM 体系之中。尽管各家在外延获取、晶圆尺寸和工艺节奏上存在差异，但其共同特征是：核心工艺与关键产能不完全外包，强调器件可靠性、寿命与系统级验证能力，优先服务车规、工业与基础设施等长周期市场。这一取向与 GaN 器件在高压、高可靠应用中的技术属性高度契合。相较于以成本与弹性见长的纯代工模式，IDM 厂商更容易在材料选择、器件结构、电性一致性与失效率控制上形成长期积累。

罗姆的选择并不只是一次供应链调整，而是把 GaN 从“高度依赖先进代工厂的特色工艺”，重新拉回到以 IDM 为主导的功率半导体产业逻辑之中。这种路径也与日本半导体厂商长期强调的制造掌控力、品质稳定性与长期可靠交付的经营哲学保持高度一致。

GaN需求没塌，反而变的更热

很多人会误读成“台积电不做了 → GaN 需求会塌”。现实更可能相反。由于其优异的材料特性（包括高电子迁移率、高击穿电场和优异的导热性），氮化镓正迅速从消费级快速充电应用扩展到要求更高的工业和先进技术领域，例如数据中心、新能源汽车和人形机器人。Yole预计到2030年GaN市场规模将达到约30亿美元。从2024年到2030年，该市场将实现令人瞩目的42%的复合年增长率。

从市场细分来看，消费领域仍是当前最大的出货来源，尤其是功率高达 300W 的快充设备，以及 OVP、家电电源等新兴应用。预计到 2030 年，消费与移动领域合计仍将贡献50%以上的市场份额。但需要注意的是，这一部分更多体现的是规模效应，而非技术牵引的上限空间。
汽车与出行领域则展现出更强的成长弹性。尽管短期受到 xEV 市场节奏放缓的影响，但 Yole 预计，该领域在 2024–2030 年期间仍将实现 73% 的复合年增长率。2025年12月8日，采用英诺赛科650V氮化镓的新一代6.6kWOBC系统在长安汽车顺利装车，该系统实现了业内领先的充电效率和整机功率密度，为车载电源技术树立了新标杆。目前，GaN 已在 ADAS 系统中的 LiDAR 电源环节实现落地，未来有望进一步扩展至车载充电器（<11kW）、DC-DC 转换器、车载音频系统以及高端电动车平台。到 2030 年，该领域预计将占据约19%的市场份额。
真正改变 GaN 产业定位的，是数据中心。AI 负载的快速增长，使电源系统从“配套环节”跃升为系统效率的关键瓶颈。在 3kW 以上的电源单元中，GaN 在体积、能效和运行成本方面的优势开始显性化。2025年，英伟达发布新一代数据中心架构，随之带动了包括德州仪器、纳微半导、英飞凌、英诺赛科、安森美在内的一批功率半导体厂商协同推进GaN在800V高压直流（HVDC）电源系统中的导入。预计到 2030 年，数据中心与电信领域将贡献约 13%的 GaN 市场规模，但其技术外溢效应远高于表观占比。

那话又说回来，为什么台积电反而选择退出？答案并不复杂：不是 GaN 不重要，而是“不够重要”。即便GaN制造业务保持高速增长，其体量与利润水平，仍难以与台积电的核心业务——服务于从大模型训练到自动驾驶的尖端 AI 处理器制造——相提并论。台积电已计划将新竹Fab 5（现有 GaN 产线）改造为先进封装基地，用于承接CoWoS等需求快速扩张的封装工艺。这些能力直接服务于英伟达等客户的AI芯片交付，是当前产业链中单位产能价值密度最高的环节。

简言之，台积电并非“看空 GaN”，而是选择了 AI 时代的黄金，而非 GaN 的白银。

大陆GaN制造版图

作为 IDM 型 GaN 玩家，英诺赛科拥有全球最大规模的 8 英寸 GaN-on-Si 产能，并已形成从外延、生长、器件到量产交付的完整闭环。这一点，使其在当前 GaN 从消费电子向数据中心、AI 服务器等高功率密度场景迁移的过程中，占据了先发优势。

2026 年 2 月 3 日，英诺赛科宣布其 GaN 产品已完成谷歌 AI 硬件平台的关键设计导入，并签署正式合规供应协议。而早在去年8月，英诺赛科还披露了与英伟达的合作，联合推动800 VDC（800伏直流）电源架构在AI数据中心的规模化落地。这些合作重点直指AI服务器与数据中心等高增长、高门槛市场。

在产业协同层面，英诺赛科并未封闭自身能力：与 STMicroelectronics开展 GaN 技术开发与制造合作；与安森美签署战略 MoU，将其成熟的 200 mm GaN-on-Si 工艺，与后者在系统集成和封装上的能力结合。这使英诺赛科在大陆 GaN 产业链中，逐步扮演起“事实上的产能与工艺中心”角色，而不仅仅是一家 IDM。

除英诺赛科之外，大陆GaN制造的另一条主线，是以代工为核心的多路径并行发展。

三安集成依托三安光电在 LED 与化合物半导体领域的长期积累，是国内最早提供 GaN 代工服务的厂商之一。其工艺覆盖射频（RF）与功率（Power）两大方向，在基站射频前端、低功耗快充等市场已实现规模出货。

芯联集成近年来在车规级 GaN 上的投入尤为突出。随着台积电明确收缩 GaN 代工布局，原本依赖其进行 8 英寸、车规级制造的设计公司，正在寻找替代方案，芯联集成正处在这一“承接窗口”的中心位置。

赛微电子通过收购瑞典 Silex，并在国内布局产线，其子公司聚能晶源在 GaN 外延与代工领域形成了较高的技术壁垒，重点覆盖高端工业与通信应用。

华润微是典型的老牌 IDM 转型，拥有成熟的 6 英寸和正在爬坡的 8 英寸线，主打中低压消费电子市场，胜在供应链稳定性。

可以说，大陆已经从GaN产业的边缘角色，进入到全球制造版图中不可忽视的结构性力量阶段。

总结

回看这一轮格局重塑，台积电的退出并没有终结 GaN，反而加速了它从“依附先进代工的特色工艺”，走向独立、自洽、可扩散的功率半导体产业。

一方面，GaN 制造正在去中心化：从单一顶级先进代工厂，转向 GF、VIS、PSMC、X-Fab 以及大陆多家厂商并行承载；从“谁能把工艺做到最极限”，转向“谁能稳定交付、谁能长期供货、谁能承受系统级责任”。

另一方面，产业主导权正在重新分配：IDM 厂商重新掌控核心工艺与关键产能，Fabless 厂商获得更具弹性的制造选择，而特色工艺晶圆厂则找到了明确且可持续的价值锚点。

更重要的是，GaN 的应用结构正在发生质变——从快充等消费级“规模市场”，迈入数据中心、车载电源与能源基础设施等高可靠、高责任、高验证成本的系统级场景。这一转向，决定了 GaN 不再只是“有没有性能优势”的问题，而是“谁能为系统效率、寿命与交付负责”的问题。

从这个角度看，台积电的离场，并不是 GaN 的退潮信号，而是它完成早期技术验证之后，进入产业成熟期的标志性节点。

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时间: 2026-2-15 16:26

作者: coffee198375

看看大势。。。。

时间: 2026-2-15 23:18

作者: 不吹不黑

支柱都放弃了？

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