小米p2充电芯片和g1 电池管理芯片技术指标

奇人无名

rt，
1.
澎湃P2芯片主要创新点、技术指标及创新点：澎湃P2充电芯片是一款基于开关
电容拓扑结构的高效DC-DC功率变换器芯
片，支持1:1、2:1和4:1的电压转换模式，且所
有模式均支持双向导通，共计15种模式切换
控制。正向1:1模式可使亮屏充电效率更高，
正向2:1模式可兼容更多充电器，正向4:1模式
可支持120W秒充，反向1：2/1：4模式可支持高
功率反向充电。芯片可实现0.9W/mm?的超
高功率密度，使用的LDMOS也达到业界领先
的超低1.18mQmm2RSP。芯片内部使用三种
不同耐压等级的Fly电容，每颗电容均配置独
立的开/短路保护电路。同时，每种工作模式
严格控制预充电压，所含功率管数量接近传统
电荷泵芯片的两倍。因拓扑设计和功能复杂度
的提升，每片芯片出厂时均通过2500多项测
试，远高于传统电荷泵芯片，以保障其充电安
全性。
。工艺制程：基于180nm/130nm/90mm制
程，采用下一代工艺将芯片损耗减小20%
。最大电压：36V
。工作电压：3V-21V
最大电流：16A
调整率：电压20mV，电流50mA(充电器
PD PPS调压）
。芯片待机功耗：<10uA
。效率：最高97%
。接口：12C
。封装：CSP
主要用途：澎湃P2充电芯片适用于手机、
平板电脑等智能移动终端应用场景以满足高效
大功率快充需求。
2.
澎湃G1芯片主要创新点、技术指标及创新点：澎湃G1电池管理芯片是一款高度
集成的高精度单节电池电量检测计，内嵌
ARM@CortexM-MO内核，通过标准12C的接
口进行通信。芯片拥有三种功耗模式，在工作
模式下功耗仅为45uA，可实现在电池状态检
测的同时保证最大程度降低功耗。芯片硬件检
测精度能力出众，可实现电压--3mV、电流一
-4mA和温度--3℃的超高精度检测。在
48KB的程序Flash和4KB的SRAM大存储空
间的加持下，电池电量显示误差可低至3%，
为业界顶尖水平。芯片抗ESD能力出众，安全
可靠性高，且满足环保认证。同时，G1芯片
拥有小米独特的自研核心算法，内嵌行业首发
的ISP、SOA和DTPT三大核心功能。结合小
米澎湃电池管理系统针对电池健康状态进行全
时域检测和保护，分钟级预测电池充放电时
长。
。工艺制程：基于110nm的工艺制程
最大电压：6V
。工作电压：2.1V-5.5V
。工作温度：-40℃-85℃
运行功耗：45uA
休眠功耗：20uA
内核主频：16MHz
内存：48KB-Flash+4KB-SRAM
。接口：12C
封装：CSP
。主要用途：澎湃G1电池管理芯片适用于手
机、平板电脑等智能移动终端应用场景以实现
对电池寿命周期内的实时SOX监控。