长鑫科技：拟241亿元和108亿元分别投建技术研发项目、存储器晶圆后道测试基地二期

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9 月 28 日消息，长鑫科技发布关于使用部分超募资金投资建设新项目的公告。

长鑫科技拟使用超募资金 130 亿元投资新建技术研发项目，同时拟通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品 (合肥) 有限公司提供超募资金 50 亿元，由其投资新建存储器晶圆后道测试基地二期项目。

附项目基本情况如下：

技术研发项目：主要用于技术研发，项目总投资金额 241 亿元，建设周期 30 个月。

长鑫存储产品（合肥）有限公司存储器晶圆后道测试基地二期项目：计划建设一座测试工厂，为 DRAM 存储芯片提供测试以及模组组装，项目总投资金额 108 亿元，建设周期 37 个月。

长鑫科技表示，测试是 DRAM 生产中不可或缺的关键环节，但因其测试的专用设备特性，随着公司产能不断提升、产品种类增多，可能面临外部封测厂测试产能不足和新增投资配套不足的问题。为了保障测试产能不成为公司产能制约瓶颈并保障供应链安全，公司急需增加自建测试产能的投入。

同时，通过自建存储器晶圆后道测试和模组项目，能够更灵活协调测试产能利用，降低公司 DRAM 芯片测试成本，提升公司运营效率和测试技术，有利于公司进一步完善 IDM 模式、增强公司的整体竞争力。