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发表于 2025-11-28 09:20:30 |只看该作者 |正序浏览
今年下半年,由于来自人工智能(AI)的需求大涨,导致全球DRAM市场供不应求,不仅DRAM合约价格持续大涨,现货市场更是涨幅惊人。这也使得众多的终端设备厂商成本压力倍增。那么,2026年DRAM市场趋势如何,是否仍将供不应求,价格将会继续上涨多少?

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2025年11月27日,由研究机构TrendForce集邦咨询主办的“MTS 2026存储产业趋势研讨会”在深圳举办。会上,TrendForce半导体研究处资深研究副总吴雅婷分享了2026年DRAM内存产业发展趋势。

2026年DRAM供应将增长20%,HBM在总供应当中占比为9.1%

根据TrendForce的预测,从供应端来看,2025年全球DRAM供应将同比增长24%,2026年将同比增长20%。

从具体的内存类型来看,在2025年的DRAM供应当中,HBM同比大涨了88.1%,消费类内存同比下滑1.2%,用于图形处理的显存同比下滑0.3%,移动端内存同比增长了23.3%,服务器内存同比增长了28.4%,PC端内存同比增长4.4%。

但是,从2026年的DRAM供应来看,HBM的增长幅度降至38.2%,消费类将增长6.2%,显存将增长23.6%,移动端将增长17.3%,服务器将增长23.1%,PC端将增长5.1%。

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从各类型内存总体的供应量当中的占比来看,2025年HBM供应虽然增长很快,但占比只有7.9%,即便是到2026年占比也只有9.1%。占比最高的还是服务器内存,2026年的占比将达39.2%,相比2025年增长了1.2个百分点。

移动端的内存占比位居第二,2026年占比将达35.3%,相比2025年降低了0.7个百分点。2026年占比同样出现下滑的还有消费类和PC内存,分别为5.4%(同比减少了0.7个百分点)和8.2%(同比减少1.1个百分点)。

DRAM供应将持续转向AI和服务器

吴雅婷指出,自 2024 年以来,Al 和服务器对 DRAM位元的消耗急剧增加。预计这一趋势将持续下去,到 2026 年将占据总 DRAM 供应量的66%。

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这主要是由于Al和服务器DRAM产品的利润率远高于其他消费类DRAM,促使上游的DRAM原厂将更多产能供应给这类客户。此外,Al 和 服务器DRAM消耗不再仅限于 HBM 和 DDR5,它还扩展到 LPDDR 和 显存。而这无疑将会进一步挤压消费类应用的产能。

吴雅婷解释称,比如Nvidia RTX Pro 6000系列就配备了96GB 超高速 GDDR7 ,这类产品就占据了非常多的消耗量。还有在一些AI应用中,主板上会集成越来越多的LPDDR内存。这些会一直在排挤消费类产品所需的DRAM供应。

“我们认为这个趋势是不可逆的,2027年这一占比可能会提升到70%以上。我们所预测的66%或者70%的数字,都是实际的消耗量。如果再加上一些客户的额外购买的库存,那么能够分配给到PC、智能手机或其他消费类终端的DRAM产能就更少。”吴雅婷强调道。

DRAM原厂的资本支出将持续增长

而为了增加Al和服务器所需的DRAM(包括HBM)的供应,2025年三星、SK海力士、美光这三大DRAM原厂都在积极推动工艺的迁移,比如将DD4产线转产DDR5,升级原有的DDR5产线转向HBM,以及对于部分产能的扩展,这也导致DRAM原厂整体的资本支出同比增长超过80%。

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随着AI和服务器 DRAM 需求保持强劲的势头,2026年的需求前景仍然乐观。因此,尽管2025年的基数较高,但DRAM原厂2026年的资本支出仍将达到同比23%的增长。但是,这个增长也同样是来自于头部的三大DRAM原厂。而中国大陆的DRAM厂商由于设备采购的限制,资本支出增长将会毕竟有限。

总体来看,虽然DRAM原厂的整体资本支出在增长,但是在2026年能增加产出的量依然还是非常少。

DRAM原厂新建产能将优先满足HBM供应

DRAM原厂目前新建的产能相对比较有限,在AI旺盛的需求和高毛利率的驱动下,预计也将优先满足HBM供应。具体来说,三星在韩国新的P4L厂的洁净室是来自其NAND Flash产线,并计划在2025年完成DRAM洁净室的建造,并于2026年开始生产。SK海力士在韩国新建的M15X晶圆厂投入超过20万亿韩元,该厂位于M15附近,并专注于生产1b DRAM,用作HBM3E的核心芯片。据悉,M15X计划于2025年底实现量产,初期月产能为3.5万片晶圆,未来预计可扩大至5.5万至6万片。SK海力士在韩国Yongin的新晶圆厂第一阶段计划于 2025 年开始建设,并于 2027 年第二季度竣工,预计到2027年底开始贡献产出。

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相比之下,美光在目前正在新建的产能相对多一些。比如,在中国台湾的A5工厂,主要是扩大HBM堆叠能力,目前正计划破土动工;美光在美国的ID1晶圆厂位于爱达荷州博伊西市美光研发中心附近,奠基仪式于 2024 年举行,预计新晶圆厂将于2027年上半年开始生产晶圆;在美国的ID2晶圆厂的第二阶段将在第一阶段晶圆厂完工后开始建设,并比N.Y.Fab更早进入大规模生产;位于美国的N.Y.Fab目前仍处于准备阶段,计划于 2025 年底开始破土动工,预计将于2030年前进入量产阶段;位于日本广岛工厂预计将于 2026 年开始建设,主要将用于HBM相关生产。

南亚科技在中国台湾新建的5A晶圆厂于去年破土动工,新工厂的建设计划于2026年完工,预计将于2027年量产。整个工厂的产能计划为4.5万片。

所以,从目前已经公布的新的产能建设计划来看,2026年能够供给市场的新增的产能比较有限,大多数都是要等到2027年底才能开出。

2026年LPDDR5X需求将暴涨169%

预计在2026年,随着CSP扩大资本支出,并计划采购更多的英伟达 GB300和VR200机架解决方案,NVL机架的总出货量可能达到约5.9万个(高于之前估计的5.5万个),这将使GB300/VR200 机架Al服务器的份额达到服务器总出货量的7%左右,相比2025年增加了3个百分点。

此外,Grace CPU和Vera CPU还可以独立部署在其他通用服务器应用程序中,预计到2026年,其份额预计将上升到3.5%左右。
基于上述情况,英伟达GB/VR机架需求的增长预计将进一步推动Grace和Vera CPU需求(搭配使用LPDDR5X)达到约280万台(高于之前估计的230万台),同比增长率约为71%。

因此随着这些英伟达AI服务器出货量的增长,将使得其对于LPDDR5X的需求持续增长,预计将会占据2026年系列总产能的4%。

以上是对于实际需求的预测,但是英伟达会倾向把库存建得更高,所以保守的估计,英伟达真正购买的LPDDR5X系列的量应该会是整个产业的5%到6%。

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根据TrendForce的预测数据显示,2025年市场对于LPDDR5X的需求同比增长558%,2026年还将继续增长169%。预计2025-2030年的年复合增长率将会高达51%。而对于LPDDR5X的整体需求当中,来自英伟达AI/服务器的需求占据了极高的比重。

智能手机加速转向LPDDR5(X),将面临AI需求竞争

目前智能智能手机内存解决方案基本都是LPDDR4、LPDDR5。但是由于上游原厂逐步停止LPDDR4的供应,产线转产新制程,使得LPDDR4缺货涨价,并且是不可逆的,所以手机厂商也需要加速转向最先进的LPDD5/LPDDR5X。

从整个LPDDR的生产供应来看,2025年LPDDR4(X)在总的LPDDR供应当中的占比为39%,随着三大原厂的逐步停产,预计2026年占比将会降低至26%。相比之下,LPDDR5(X)的供应占比将采从2025年的60%快速提升到2026年的73%。

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根据TrendForce的预计,从智能手机生产的角度来看,LPDDR5(X) Gb当量预计将在2025年占比52%,在2026年将提升至66%。2025年配备LPDDR5(X)的智能手机将占智能手机总产量的37%,到2026年将占51%。

正如前面所提到的,除了智能手机加速转向LPDDR5(X)之外,很多AI应用也在扩大LPDDR5(X)的导入。这也使得手机厂商所需的产能将会受到一定程度的排挤。因为对于DRAM原厂来说,将LPDDR5(X)做成面向的AI的产品供给AI客户,相比供给手机厂商,会有高达50%到60%的溢价。

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吴雅婷指出:“我们预估明年LPDDR的产出中超过70%是LPDDR5。但这不代表LPDDR5不会缺货,主要原因是手机的需求会跟AI的需求互相竞争。所以让LPDDR5的供给紧张,再加上LPDDR4的供给减少,所以在2026年智能手机的成本压力就会上升很多。”

由于DRAM及NAND Flash采购成本的持续上升,智能手机厂商本身毛利就不高,因此必然需要通过对手机进行涨价来抵消成本增长压力。数据显示,LPDRAM价格在2025年下半年整体上涨了50%以上,一些智能手机品牌已经调涨零售价格作为回应。但是这也将导致客户的购买需求被抑制。

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另一方面,手机厂商对于产品的规格的升级将会进一步放缓,甚至可能为了抵消成本上涨压力和避免价格上涨,进而削减产品的内存和存储配置。

服务器市场对于存储需求将保持快速增长

从需求端的各个市场的发展来,2025年笔记本电脑市场和智能手机市场的增长率分别为5%和2%,但是由于存储芯片(包括DRAM和NAND Flash)价格持续上涨,迫使PC厂商和智能手机提升产品售价,这将会抑制客户的购买需求,预计将导致2026年出货将分别同比下滑3%和2%。相比之下,通用服务器和AI服务器市场仍将会继续增长,2025年增长幅度分别为8%、25%,2026年将分别继续增长9%、24%。

从这些市场对于DRAM和NAND Flash的需求来看,2025年来自笔记本电脑的需求分别增长了14%和3%,预计2026年将继续分别增长10%和6%;2025年来自智能手机的需求分别增长了9%和11%,预计2026年将继续增长8%和8%。

相比之下,通用服务器和AI服务器对于DRAM和NAND Flash需求将保持高速增长。其中,通用服务器对于DRAM需求,预计2025年同比增长19%,2026年将继续同比增长20%;通用服务器对于NAND Flash的需求,预计2025年同比增长30%,2026年同比增长19%。

AI服务器对于DRAM需求方面,预计2025年LPDDR需求同比大涨67%,RDIMM同比增长31%;2026年将LPDDR需求同比增长15%,RDIMM同比增长21%。AI服务器对于NAND Flash需求方面,2025年同比增长50%,2026年将继续大涨70%。

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通用服务器和AI服务器对于DRAM需求的增长,主要来自于微软、亚马逊、谷歌、Meta、甲骨文、字节跳动、阿里巴巴、腾讯云、百度读等头部的云服务(CSP)厂商需求的增长。

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今年9月份的时候,存储出现供应紧张的迹象,随后美系五大云端业者已经看到2026年的DRAM缺货是不可能改变。客户抢不到货,就会倾向把第二年想要的需求量放得更大,所以就造成缺口越来越大。

吴雅婷表示:“我们观察到,CSP厂商与DRAM供应商关于需求的讨论已经不是针对2026年,因为2026年的缺货已经无解,所以现在更多的讨论是在锁定2027年甚至2028年的供应。不排除价格一直上涨的情况下,他们有更大的诚意,比如先付款,支持DRAM原厂的资本支出,以锁定未来的产能。这就是我们现在看到的情况,这种情况在之前从来没有发生过。”

2026年DRAM供应缺口将持续增在

总结来说,存储市场的需求增长主要是由服务器市场驱动,尤其是北美CSP订单的稳定增长。叠加Al服务器部署的快速推进,2026年的对于DRAM的需求将同比增长26%,比2025年的22%增长率进一步上升。

虽然PC和智能手机的对于NAND Flash需求增长有限,但AI应用将推动企业级SSD的强劲需求增长,推动2026年整个市场对于NAND Flash同比增长21%。

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需要指出的是,前面的预测数据就有提到,2026年全球DRAM供应同比增长幅度只有20%,现在预测的2026年DRAM需求增长是26%,这也意味着整个2026年将至少存在6个百分点的供应缺口。而这当中还没有考虑到库存状况,以及客户在抢不到足够DRAM供应的情况,会增加下单超过实际需求的量。所以,实际的缺口会更大。

2026年DRAM价格将上涨58%

根据TrendForce的预计,2026年DRAM市场的供应量将为1740亿个单位(2Gb)容量,同比增长20%;营收规模将会达到3010亿美元,同比大涨85%;平均单价约为1.63美元,同比上涨58%。

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2026年NAND Flash市场的供应量将为11220亿个单位(8Gb)容量,同比增长21%;营收规模将会达到1110亿美元,同比大涨59%;平均单价约为0.1美元,同比上涨32%。

谈到DRAM缺货问题,不可回避的最为关键的一个原因在于英伟达等AI芯片厂商对于HBM的庞大需求。而HBM的生产就需要大量的DDR5颗粒。根据此前美光公布的数据,要产出一份HBM产能,就需要消耗三份的DDR5产能。这也造成了巨大的DDR5的产能消耗,而DRAM原厂都在积极地扩大利润率更高的HBM产能供应给AI芯片客户,这也也成为了DRAM产能紧缺的关键原因。

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吴雅婷表示,今年第四季度DRAM合约价格变化很快,从最初的每个季度报价,到后面每个星期要改一次。现在多家原厂都停止了报价,他们都不希望自己的涨价幅度低于别人,所以他们轮流暂停报价,每一次报价出来的金额都比上一次高。如果排除HBM的部分,今年第四季度消费类DRAM的涨价幅度接近50%,不排除还有上修的空间。但是上修的空间并不会太大。基本上可以反映明年第一季度的涨幅。

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从2026年的每个季度的不同类型的DRAM价格涨幅来看,明年上半年消费类DRAM的涨幅会比较明显。各个类型的DRAM都会持续缺货,原厂轮流停止报价、涨价、竞价的行为模式短期可能不会改变。到明年第四季度,各类型DRAM的涨幅预计将会收窄。
小结:

以上一个DRAM上升超级周期为例来看,当时是在2016年-2018年间,主要是由通用服务器需求驱动的,DRAM价格持续上涨了约9个季度。但是,当前这一轮DRAM价格上涨则是由AI服务器和通用服务器高通驱动的,并且还存在着结构性的产能转换和多个维度的需求竞争,情况更为复杂,短缺和涨价可能将会持续更长时间,预计2026年一整年都会面临供应紧缺和涨价的问题。

因此,当前的存储市场已经成为了买方市场,存储芯片原厂将会持续提高合约价,并且有意地控制扩产,以期尽量将存储的供应持续维持在供不应求的状态,同时推动存储价格持续上涨并维持高位。

存储芯片原厂当前扩大资本支出新建的产能,等产能开出也要2027年底了,对于2026年和2027年影响有限。或许2028年之后会不会有更多的新的存储芯片产能供应出来,但是届时需求可能也会跟上来。

所以,对于买方来说,接下来将会面临残酷的DRAM供应争夺战。由于云端CSP厂商对于DRAM需求量大且财大气粗,更容易锁定原厂的DRAM产能供应,并且会排挤原厂对于消费类DRAM的产能供应。相比之下,手机、PC等终端设备厂商将会面临较大的挑战(毕竟惠普这样的PC大厂的营业利润率也就5.8%),特别是对于中小型电子产品厂商来说关乎生死存亡。

编辑:芯智讯-浪客剑

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