三星重启1.4nm!

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英特尔与台积电是研发 1.4 纳米级工艺的头部厂商。两家厂商的技术底层架构存在本质差异，但两款工艺官方命名均归为 1.4 纳米制程。台积电 A14 制程工厂预计明年投产；受旺盛市场需求驱动，竞品英特尔也将提速推进 14A 工艺研发，泰瑞达晶圆厂、苹果等核心客户已提前排队等候产能。

有消息称，三星现已重启代号 SF1.4 的 1.4 纳米晶圆代工工艺研发。该工艺原定 2027 年量产，最新规划将量产时间延后至 2029 年。

三星电子这款即将商用的 1.4 纳米工艺，最初规划明年投产。但三星调整了量产时间表，推迟至 2029 年，目的是集中资源巩固自身 2 纳米（SF2）及改良版 2 纳米工艺（SF2P）的市场竞争力。

三星正联合海内外供应链合作伙伴推进配套制程设备研发，保障 SF1.4 工艺落地。首批全新设备将交付至三星顶尖半导体研发中心 NRD-K；应用材料、泛林半导体是三星核心设备合作厂商。

三星此前暂缓 1.4 纳米研发，初衷是集中资源打磨 SF2、SF2P 等 2 纳米工艺。2 纳米系列工艺良率表现更优，后端产线配套也已完成优化。而 1.4 纳米工艺需要全新搭建产线、采购新一代高端设备，因此重启该项目耗时较长。

极紫外（EUV）光刻机龙头ASML已向三星 NRD-K 研发中心交付高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻机，三星大概率会率先将该设备用于 1.4 纳米制程。除 1.4 纳米逻辑工艺外，三星还规划研发下一代 V12 闪存，计划 2030 年前投产；2030 年及以后，三星还将通过多层堆叠技术冲刺千层以上闪存架构。

英特尔近期宣布启动 18A-P 工艺试产，该工艺是 18A 的迭代版本，性能指标更优。台积电目前尚未引入高 NA EUV 设备，这一点或将成为三星相对台积电的竞争优势；不过台积电也在研发早于 A14 的 A16 工艺。英特尔、台积电的 1.4 纳米级工艺将比三星提前一年落地，在此背景下，三星 2029 年量产的 1.4 纳米工艺，将成为其晶圆代工板块抗衡两大巨头的战略筹码。