DRAM短缺持续10年？

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或许我们对当前的内存危机过于担忧。

据TrendForce预测，明年NAND闪存的供应增长将超过需求，供应限制将在2027年下半年缓解。又或许我们担忧得还不够：Adata董事长表示，DRAM短缺将持续十年，内存和电力将成为全球最稀缺的两种资源。

TrendForce 最新发布的 NAND 闪存报告对于那些希望 SSD 价格最终回归正常水平的用户来说，无疑是个难得的好消息。这家分析公司表示，由于人工智能需求的蓬勃发展与产能扩张的局限性相冲突，市场在 2026 年仍将持续供不应求，供应缺口预计在 4% 到 5% 之间。

值得庆幸的是，这种情况有望在明年下半年开始好转。供应商正在转向更新的制造工艺，稳步提高比特产量，并有选择地升级现有生产线。中国制造商也在安装新设备，预计这将使其在全球NAND比特产量中的份额提升至近19%。

目前服务器占NAND闪存消费量的40%以上，预计英特尔和AMD下一代服务器平台的出货量将推动今年服务器总出货量增长17%。然而，智能手机和笔记本电脑的需求量合计接近40%，但市场依然疲软。TrendForce预计，到2026年，智能手机产量将下降15%至20%，而笔记本电脑出货量将下降约10%。

与Silicon Motion近期发出的警告相比，TrendForce的预测更为乐观。Silicon Motion此前警告称，由于云服务公司优先于消费产品，2027年将是NAND闪存供应最糟糕的一年。TrendForce也认为产能将在明年继续受限，但相信供应增长最终将在下半年超过需求。

DRAM的情况似乎截然不同。Adata董事长陈立白表示，业界低估了人工智能基础设施的未来需求，尽管三星、SK海力士和美光都有扩张计划，但他认为DRAM短缺的情况可能还会持续十年。

陈表示，计划在2028年至2035年间投产的新工厂可能仍无法满足市场需求。他还驳斥了有关人工智能泡沫的担忧，认为在2040年甚至2050年之前，不应认真讨论这一话题。他认为，Meta和xAI租赁过剩计算能力的报道并不意味着需求正在放缓，因为人工智能正在扩展到更多商业和政府应用领域。

据近期报道，SK海力士预测内存短缺将在2027年达到顶峰，并持续到2030年；美光也预计内存短缺将持续到2027年以后。这场危机已经将DDR5内存套装的价格从100美元左右推高至400美元以上，重新刺激了对DDR4内存的需求，并引发了内存成本上涨可能导致PC和智能手机价格上涨高达8%的警告。

SK海力士CEO发出警告

如果你认为目前消费电子领域由存储芯片通胀引发的混乱局面已经到了最糟糕的地步，SK海力士的CEO希望你重新考虑一下，尤其是在不断有报道称存储领域在未来很多年内都不会达到供需平衡的情况下。

2027年晶圆供应量将增长12%，但其中一半增长将用于HBM，这将限制非HBM DRAM位增长至15%，而需求量却激增22%。

具体来说，SK 海力士首席执行官郭鲁正预测，即使在经历了目前与内存相关的动荡之后，未来仍将面临更加艰难的时期，并表示从供应角度来看，2027 年“将是该行业历史上最糟糕的一年”。

与此同时，为了更好地理解现状，《商业时报》最近的一篇报道披露，预计 2027-2028 年与存储器相关的晶圆供应量将以每年约 12% 的速度增长，但其中约一半的供应量将用于 HBM。

因此，三星将在 2026 年出货约 120 亿 Gb 的 HBM，并在 2027 年将其增至 200 亿 Gb。与此同时，SK 海力士将在 2026 年供应 180 亿 Gb 的 HBM，并在 2027 年供应 240 亿 Gb 的 HBM。

因此，2027-2028 年非 HBM DRAM 位增长将限制在每年 15% 的增长率，而预计届时需求将增长 22%。

与此同时，为了更好地理解现状，《商业时报》最近的一篇报道披露，预计 2027-2028 年与存储器相关的晶圆供应量将以每年约 12% 的速度增长，但其中约一半的供应量将用于 HBM。

因此，三星将在 2026 年出货约 120 亿 Gb 的 HBM，并在 2027 年将其增至 200 亿 Gb。与此同时，SK 海力士将在 2026 年供应 180 亿 Gb 的 HBM，并在 2027 年供应 240 亿 Gb 的 HBM。

因此，2027-2028 年非 HBM DRAM 位增长将限制在每年 15% 的增长率，而预计届时需求将增长 22%。