台积电明年3nm及2nm扩产计划曝光

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9月14日消息，据台媒《经济日报》援引供应链消息报道称，晶圆代工大厂台积电正持续冲刺先进制程产能，并首次曝光了明年最新2nm和3nm的扩产目标。

报称，台积电3nm月产能去年底达12万至13万片后，今年底进一步扩增至18万片。虽然2nm量产后，3nm已不是台积电最先进的制程，但市场需求仍强劲，台积电因而持续扩大3nm产能，目标明年中3nm月产能超21万片，半年内增加16%，换算2025年底至2027年中的一年半内，增加近70%产能。

在2nm产能方面，供应链指出，台积电今年底2nm月产能将达9万片，明年中将进一步扩大至11万片，半年内增加22%产能。

台积电此前表示，2026年资本支出将介于600亿美元至640亿美元，其中约70%至80%用于先进制程。 该公司正在新增三座3nm晶圆厂，分别位于中国台湾、美国亚利桑那州及日本，同时，台积电在中国台湾也在持续转换5nm设备来支持3nm产能。

台积电还在持续建设2nm以下更先进的制程技术发展，包括A16、A14、A13、A12等。 该公司日前并与ASML共同宣布发起合作，将推动高数值孔径极紫外光（High NA EUV）自当前的6英寸光罩，转移至更大的12英寸光罩。

近日，比利时微电子研究中心（IMEC）也宣布，携手ASML及材料供应商，成功利用High NA EUV单次曝光，完成22nm间距导线的单次图形化，较先前验证的28nm间距再进一步缩小。并验证多种接近实际芯片片设计的复杂结构，显示成熟CAR光阻技术有望延伸至A14、A10等埃米世代，应用于部分关键金属层与通孔层。