【硬核科普1】海力士官网：TSV，RDL，硅中介，2.5D堆叠

奋斗士

https://news.skhynix.com/cn/semi ... conductor-packages/
晶圆级封装方法可进一步细分为四种不同类型：
1）晶圆级芯片封装（WLCSP），可直接在晶圆顶部形成导线和锡球（Solder Balls），无需基板；
2）重新分配层（RDL），使用晶圆级工艺重新排列芯片上的焊盘位置* ，焊盘与外部采取电气连接方式；
3）倒片（Flip Chip）封装，在晶圆上形成焊接凸点* 进而完成封装工艺；
4）硅通孔（TSV）封装，通过硅通孔技术，在堆叠芯片内部实现内部连接。

https://news.skhynix.com/cn/semiconductor-back-end-process-episode-8-the-process-stages-of-wafer-level-packages/
1）硅通孔TSV（Through Silicon Via）：挖孔，填铜


https://news.skhynix.com/cn/semiconductor-back-end-process-episode-3-understanding-the-different-types-of-semiconductor-packages/
2）重新分配层 (ReDistribution Layer, RDL)


https://news.skhynix.com/cn/semiconductor-back-end-process-episode-4-packages-part-2/
3）中介层（Interposer）：用于2.5D配置中的裸片之间又宽又快的电信号管道

图：使用HBM的2.5D封装

4）在2.5D结构中，两个或多个有源半导体芯片（Active Semiconductor Chips）并排排列在硅中介层上。在3D结构中，有源芯片通过裸片垂直堆叠的方式集成在一起。