可怕的台积电要建10座2nm工厂

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随着各公司竞相挑战全球最大的半导体代工厂台积电（TSMC）2纳米，市场的竞争日趋激烈。三星电子与美国英特尔公司携手，不断提升其2纳米级先进工艺“18A”的良率，并已接近量产。英特尔正凭借主要客户英伟达的投资和美国政府的支持，巩固其市场竞争力。

作为领先者，台积电正在做出新的规划。据台媒引述半导体供应链透露，台积电因应人工智能（AI）芯片订单激增，先进制程产能供不应求，在竹科、高雄共规划投资7座2纳米厂已不敷需求，近期预计在台湾再投资建3座2纳米厂，地点可望落在南科附近的南科特定区，推估若以1座厂投资金额3千亿元，总投资额将达9千亿元。

台积电对于投资设厂，指出先进制程目前市场需求强劲，台积持续在台湾投资先进制程，包含台中A14厂区也已动工，将持续与科学园区管理局合作评估适合半导体建厂的用地，一切资讯以公司对外公告为主。政府相关单位则三缄其口不予回应。

不过，供应链厂商透露，台积电近期已与国科会等政府单位会商，表达将增加再投资建3座2纳米厂的资源需求，地点属意台南市政府正推动的“南科特定区开发区区块区段征收计画”，以用地区块来看，A区上看40公顷是适合晶圆厂建地，建厂时程可能还要看用地取得、环评等后续作业程序而定，最快有机会明年动土。

台积电在竹科宝山建2座2纳米厂、高雄楠梓规划5座厂，本季已开始量产二纳米，公司先前法说会预期2纳米需求强劲，明年产能将快速成长，2纳米家族将成为公司大规模且长期贡献营运的制程。

台积电今年3月加码投资美国千亿美元，投资总额达1650亿美元，目前正加速建厂中，台积电增加美国投资建厂，很多国人担心将影响在台湾的投资减少？台积电董事长暨总裁魏哲家当时指出“做AI的客户全部来找我们”，预计产能仍不够，不仅不会影响台湾，还要请政府帮忙找地盖厂。

如今，供应链传出台积电将加码在南台湾扩增2纳米厂，显示以公司有订单才扩产的谨慎投资来看，AI需求先进制程仍旺，该公司也以实际投资行动对外证明在台续投资先进制程。业界指出，三星虽宣称明年将在美国以2纳米制程为特斯拉生产AI6芯片，还有其他客户下单；英特尔也号称推出18A制程，但对国际客户而言，从台积电换到别家先进制程的供应商，风险成本太高，良率与生产稳定性都是问题，这也是台积电先进制程供不应求的主因。

英伟达执行长黄仁勋日前专程来台参访南科台积电晶圆18厂、参加公司运动会，引起轰动，魏哲家也透露他是来“要更多芯片”，但对要多少产能视为机密。魏哲家上星期与前董事长刘德音共同获颁美国半导体产业协会（SIA）年度最高荣誉“罗伯特‧诺伊斯奖”（Robert N. Noyce Award），他在致词时也罕见指出，AI驱动客户对先进制程需求远超过预期，需求约比台积电现有产能高3倍，产能“不够、不够、还是不够”。

英特尔奋起直追

据业内人士和外媒11月24日报道，英特尔在11月18日（当地时间）举行的RBC资本市场全球TMT大会上宣布，其18A工艺良率每月提升7%。良率的提升已持续7-8个月，如果目前的趋势得以保持，英特尔将能够在不增加成本的情况下量产基于18A工艺的Panther Lake处理器。18A是英特尔最新的1.8纳米级工艺，旨在与台积电和三星电子的2纳米级工艺竞争。

投资者关系副总裁约翰·皮策 (John Pitzer) 就公司晶圆代工技术和战略解释道：“近期发生显著变化的一点是，(18A) 合金的良率提升正朝着可预测的方向发展。” 他补充道：“本季度我们推出 Panther Lake 产品后，信心大增。” Panther Lake 工艺的良率在今年年中之前一直徘徊在 10% 左右，表现不佳。而实际生产所需的良率应为 70-80%。

英特尔将于明年1月在拉斯维加斯举行的全球最大IT及电子产品展览会CES 2026上发布其首款基于18A工艺的产品Panther Lake。此举展现了英特尔的信心，因为Panther Lake被视为决定英特尔晶圆代工业务成败的关键产品。副总裁皮策强调：“在14A（1.4纳米级）工艺下，我们收到的客户反馈比18A更快、更多、更好。”他还补充道：“14A在性能和良率方面都远胜于18A。”

尽管英特尔作为后起之秀，近期因重组而面临困境，但它正寻求通过强有力的支持重振旗鼓。主导人工智能（AI）市场的英伟达向英特尔投资了50亿美元（约合7万亿韩元），而美国政府也获得了英特尔10%的股份，采取了接近国有化的措施。在美国扶持本土企业的趋势下，英特尔正获得全力支持。

三星来势汹汹

除了英特尔外，三星也是2nm工艺的另一个重要玩家。由于三星电子也将其全部赌注押在了2纳米制程上，预计代工厂商将继续与台积电展开竞争，以遏制其主导地位。业内人士估计，三星电子2纳米制程的良率已提升至55-60%。随着良率趋于稳定，有观察人士指出，三星电子将在明年年底前将其2纳米制程的产能扩大一倍以上。

此前，三星电子首次公布2nm工艺量产进展及技术指标：相较3nm制程，新工艺实现性能提升5%、能效优化8%、 芯片面积缩减5%。尽管提升幅度低于业界预测，但标志着GAA（全环绕栅极）晶体管架构在更先进节点的持续演进。

据悉， 三星首款采用2nm工艺的SoC为自研Exynos 2600，传闻当前良品率介于50%-60%。该芯片的量产效能将直接验证三星代工技术实力，尤其在高难度10nm以下制程中，良品率突破已成为争夺客户的核心竞争力。

目前，全球晶圆代工市场主要由台积电占据，市场份额70.2%稳居第一。虽然三星排在第二，但是市场占有率仅为7.3%，相差了接近十倍。

三星已经为晶圆代工业务设定新目标，希望通过提高2nm工艺的良品率以及与利润丰厚的客户建立长期业务关系，在两年内实现盈利，并占据20%的市场份额。

此前，据韩国媒体dailian报道，三星2nm制程的良率已经提升到了50%~60%。另据韩国媒体Hankyung报道，中国两家虚拟货币挖矿设备制造商已决定采用三星电子即将量产的2nm制程，用于下一代高性能矿机芯片开发。

一位业内人士解释说：“三星电子似乎已经为其 2 纳米工艺锁定了五家主要客户，”并补充道，“此外，争取美国主要客户也很重要。”

Rapidus不甘人后

2025年11月21日，日本经济产业大臣赤泽昭正宣布，政府计划向Rapidus投资1000亿日元。Rapidus的实施计划也于同日公布，计划于2031财年左右上市。同日，经济产业省（METI）将Rapidus公司选定为符合《信息处理促进法》财政支持条件的下一代半导体制造商。

Rapidus 和台积电是日本政府寄予厚望的两家芯片制造商，希望它们能够重振日本日渐衰落的半导体产业。如果 Rapidus 成功，将为 IBM 等公司生产先进的 2 纳米芯片。台积电则在其位于日本熊本的基地生产用于图像传感器和汽车应用的 12 至 28 纳米芯片。

Rapidus 于 2024 年 12 月交付设备三个月后，即 4 月进行了首次 EUV 曝光。

年初，Rapidus宣布正与包括Cadence、IBM和人工智能芯片设计公司Tenstorrent在内的生态系统合作伙伴结盟。IBM是全球首家在纽约州试点生产线上生产2纳米芯片的公司，该公司正在将其技术转让给Rapidus，Rapidus未来有可能成为IBM的供应商。

Rapidus 当时表示，将在 2026 年第一季度向客户发布 PDK，并正在准备一个客户可以开发自己原型的环境。

根据最新规划，Rapidus的目标是在2027财年下半年实现2nm工艺的量产，之后每2-3年进行新一代工艺的量产。

在提交给经济产业省（METI）的实施计划中，Rapidus概述了其中期计划，即在2027财年下半年开始量产2nm制程的半导体。该计划还概述了此后每两到三年量产最新一代（1.4nm和1.0nm）制程半导体的中期路线图。此外，Rapidus还提出了在2029财年左右实现正经营现金流、在2031财年左右实现正自由现金流以及在2031财年左右上市的目标。

技术研发方面，公司计划通过单晶圆加工和新型传输系统等差异化技术，缩短原型制作和改进所需的时间，并将晶体管性能和良率提升至足以凭借芯片质量和成本竞争力吸引客户的水平。同时，公司也将全力推进1.4nm工艺的研发工作。在后处理方面，公司计划于2025财年与国际组织合作，开通一条试点生产线，并建立相应的生产技术。

关于客户获取，该公司解释说“客户获取空间巨大”，并指出预计到2030财年，全球2纳米半导体市场的供应将比需求缺口约10%至30%。该公司首先的目标是争取来自为人工智能数据中心设计定制半导体的无晶圆厂公司的订单，然后计划扩大国内外边缘设备（ 汽车、机器人等）的供应。