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发表于 2025-9-22 10:47:00 |只看该作者 |倒序浏览
据报道,日本嵌入式半导体解决方案公司瑞萨电子(Renesas Electronics)已经完成了 3 纳米(nm)汽车芯片的流片,并由其诺伊达(Noida)和班加罗尔(Bengaluru)团队设计,目前已开始提供样品。

“我们绝对是印度第一家设计出 3 纳米汽车芯片的公司。”瑞萨印度区负责人兼副总裁 Malini Narayanamoorthi 在接受《经济时报》(ET)采访时表示。

Narayanamoorthi 表示,样品芯片已经提供给合作伙伴,但商业化上市的时间尚未确定。

瑞萨正与 Murugappa 集团旗下 CG Power 合作,在 Sanand 建设一家 半导体封装与测试(OSAT)工厂。

今年 5 月,印度信息技术部长 Ashwini Vaishnaw 曾表示,瑞萨将成为印度首个从事 前沿 3 纳米芯片设计 的设计中心。“在 3 纳米节点进行设计,真正代表了下一代技术。我们此前已经完成过 7 纳米和 5 纳米设计,而这标志着新的里程碑。”他说道。

Vaishnaw 还透露,英国半导体公司 ARM 在班加罗尔的新研发中心,也将专注于前沿芯片设计,包括先进的 2 纳米 节点。

Vaishnaw指出,印度拥有全球近20%的芯片设计工程师,并依托这一强大的人才基础,政府正在推动印度建立完整的半导体生态系统。

为了促进半导体芯片设计领域的人才发展,印度政府推出了多项举措,例如,全印度技术教育委员会(AICTE)为 VLSI设计与技术、集成电路(IC) 制造提供新课程;在半导体设计领域培养 85,000 名熟练技术人员并提供用于设计半导体芯片的 EDA 工具;迄今为止,已有来自 100 所院校的 45,000 多名学生入学。

此外,印度正在 NIELIT Calicut 建立一个熟练人力资源高级研究和培训(SMART实验室,在印度培训 10 万名工程师,目前与 Lam Research、IBM 和普渡大学等行业和大学合作,已培训了 44,000 多名工程师。

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