中国半导体存储器市场已成为全球第二大市场

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全球规模最大的半导体存储器和存储技术盛会——未来存储大会（FMS），于2025年8月5日至7日（美国时间）在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行。大会涵盖主题演讲、专题讲座、展览等多元环节，且仅开放现场参会，未提供线上参与渠道。近日，FMS官方网站已正式发布主题演讲视频及全体会议报告的幻灯片，披露了多项行业核心数据与发展预判。

市场研究公司Yole Group高级分析师Josephine Lau以“存储器市场概览——2025年展望”为题发表讲座，重点预测了半导体存储器市场至2030年的发展趋势，并深入剖析了HBM（高带宽内存）市场的未来前景。结合其披露的核心数据，2024年全球DRAM与NAND闪存市场的区域份额（按企业总部所在地划分）呈现明确格局：美洲在两大市场中均位居首位，中国则位列第二。

具体来看，Yole Group测算数据显示，2024年中国将占据全球DRAM市场26%的份额（对应市场价值250亿美元），在NAND闪存市场的份额则达到33%（对应市场价值220亿美元），其中中国在NAND闪存市场的区域份额高于DRAM市场。从市场价值合计维度，2024年全球DRAM与NAND闪存市场总价值达1650亿美元，中国占比470亿美元，对应全球占比28.5%。

需注意的是，DRAM与NAND闪存合计占据全球半导体存储器市场97%的份额，据此可推算中国约占全球半导体存储器市场的30%。

在供应商竞争层面，Yole Group还分析了2024年主要DRAM及NAND闪存供应商在中国市场的销售额占比。其中，三星电子、SK海力士、美光科技三大DRAM巨头中，三星在中国市场的销售额占比最高，SK海力士紧随其后，美光位居第三；即便如此，三星在中国市场的销售额占比也仅约30%，整体处于较低水平。

从全球产能供需格局来看，以晶圆加工量为核心指标的分析显示，中国大陆与美国的市场需求均超过本地供应；而包括日本、韩国、中国台湾、新加坡在内的其他亚洲国家及地区（不含中国）则呈现供应过剩态势，凸显这些区域是全球DRAM与NAND闪存的核心供应基地。按工厂所在地划分的全球生产比例数据显示，韩国以45%的占比位居第一，中国大陆以24%位列第二，后续依次为日本（16%）、中国台湾（10%）、新加坡（4%）和美国（2%）。值得关注的是，尽管中国大陆的生产比例排名第二，但其产能仍无法满足本土市场需求。

资本投资方面，2020-2024年全球半导体存储器企业的投资趋势明确：三星的资本投资额始终位居行业首位，SK海力士与美光的投资额约为三星的一半。细分领域中，专注于NAND闪存的铠侠-闪迪联盟在2020-2024年期间选择控制资本投资规模，而全球NAND闪存龙头企业则持续加大投资；另有一大核心看点是，中国DRAM龙头企业在2024年的资本投资额将实现大幅增长。

近日，野村证券预测，受人工智能基础设施建设及传统服务器投资回暖的驱动，全球存储市场规模有望在2026年同比增长98%至4450亿美元，并在2027年进一步扩大至5900亿美元。

报告强调，这一轮超级周期将持续至2027年，主要动力来自强劲的需求增长与有限的供应扩张之间的供需错配。野村预计，2026年DRAM和NAND的需求将分别增长30%，而HBM的需求增幅将高达63%。在供应受限的背景下，产品价格将大幅上涨，预计DRAM和NAND的平均售价（ASP）将分别跃升46%和65%，推动存储芯片制造商的营业利润率重回历史高位。

野村指出，除了AI服务器的强劲需求外，通用服务器市场的复苏也是关键驱动力。随着大型科技公司恢复传统云服务器投资，预计2026年通用服务器相关内存（如DDR4和DDR5）需求将增长约50%。同时，AI推理工作负载的增加推动了数据中心对高性能存储的需求，企业级固态硬盘（eSSD）需求预计将在明年翻倍，这将导致NAND库存迅速下降并推高价格。