台积电将其最先进芯片制程引入美国!

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据日经新闻援引知情人士消息，台积电计划于明年夏季启动其亚利桑那州 21 号晶圆厂二期项目的设备搬入工作。待各类配套设施及生产设备于 2027 年完成安装调试后，该厂将可依托3 纳米制程工艺开展芯片量产，较原计划提前数个季度。

若日经新闻的报道属实，台积电将于2026 年第三季度（7-9 月） 正式启动亚利桑那州 21 号晶圆厂二期的设备安装工作，目标在 2027 年实现投产，较原定于 2028 年量产的计划提前数个季度。

台积电方面表示，该公司亚利桑那州 21 号晶圆厂二期的土建工程已于今年竣工。在厂房主体结构及水电气等机电管线系统落成后，芯片厂商需进一步完成电梯、暖通空调（HVAC）等内部基础设施的搭建。这一阶段收尾后，厂商会开展环境验证工作，只有在温度、气压、湿度等各项指标均保持稳定的前提下，才会正式搬入量产所需的核心设备。

不同设备的安装与调试周期从数小时到数天不等，而晶圆厂中的高端深紫外光刻机（DUV）与极紫外光刻机（EUV），其安装调试耗时远高于其他设备。无论如何，首批设备的安装、联调及小批量量产的筹备工作，整体仍需耗费数月时间。尽管初期产能有限，但台积电仍有望在 2027 年于亚利桑那州实现 3 纳米制程芯片的量产。

此外，台积电已于2025 年 4 月启动亚利桑那州21 号晶圆厂三期项目的建设，该产线将具备 2 纳米及 1.6 纳米级芯片的生产能力。台积电希望加快三期项目建设进度，从而推动更先进制程芯片的产能落地，同样实现提前在美国量产 2 纳米、1.6 纳米级芯片的目标。

台积电总裁魏哲家在 2024 年 10 月的最新财报电话会议上表示：“在头部美国客户，以及美国联邦、州、市各级政府的通力协作与大力支持下，我们正持续加快亚利桑那州的产能扩充步伐。目前各项工作进展显著，项目执行情况符合预期。此外，基于客户对人工智能相关芯片的强劲需求，我们正筹备在亚利桑那州加速技术升级，早日导入 2 纳米及更先进的制程工艺。”