韩国预测：到2040年芯片制程将突破至0.2纳米

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12 月 25 日消息，韩国半导体工程师学会在其发布的《2026 年半导体技术路线图》中，公布了未来 15 年硅基半导体技术的发展预测。三星近期才刚推出全球首款 2 纳米全环绕栅极（GAA）芯片 ——Exynos 2600，而路线图预计，到 2040 年半导体电路制程将突破至 0.2 纳米，正式迈入埃米级（Å）技术时代。不过，从当下到未来的 15 年间，行业仍需攻克诸多难题，实现 1 纳米以下晶圆制程的目标道阻且长。

据 ETNews 报道，该技术路线图的核心目标是助力提升半导体领域的长期技术与产业竞争力、推动学术研究落地、完善人才培养体系。路线图重点聚焦九大核心技术方向，分别为：半导体器件与制造工艺、人工智能半导体、光互连半导体、无线连接半导体传感器、有线连接半导体、功率集成电路模块（PI M）、芯片封装技术以及量子计算。

据IT之家了解，目前，三星的 2 纳米 GAA 技术代表着全球光刻制程的最高水平。据悉，这家韩国科技巨头已在规划该工艺的迭代升级方案：不仅完成了第二代 2 纳米 GAA 工艺节点的基础设计，还计划在两年内落地第三代 2 纳米 GAA 技术 ——SF2P + 工艺。路线图指出，到 2040 年，0.2 纳米制程将采用互补场效应晶体管（CFET）的全新晶体管架构，并搭配单片式 3D 芯片设计方案。

作为韩国下一代半导体制造领域的领军企业，三星已组建专项团队，启动 1 纳米芯片的研发工作，目标在 2029 年实现量产。这些技术突破不仅将应用于移动终端的系统级芯片（SoC），还将赋能存储芯片领域：DRAM 内存的电路制程将从目前的 11 纳米缩减至 6 纳米；高带宽内存（HBM）则有望实现跨越式升级，从现有的 12 层堆叠、2TB/s 带宽，提升至 30 层堆叠、128TB/s 带宽。

在 NAND 闪存领域，SK 海力士已研发出 321 层堆叠的 QLC 技术，而技术路线图预测，未来该领域将实现 2000 层堆叠的 QLC NAND 闪存。此外，当前的人工智能处理器算力最高可达 10 TOPS（每秒万亿次运算），路线图预计，15 年后的 AI 芯片将实现算力大幅跃升：用于模型训练的芯片算力可达 1000 TOPS，用于推理任务的芯片算力也将达到 100 TOPS。