300mm氮化镓全球首发

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在IEDM 2025上，英特尔首次展示了一种基于300mm硅基氮化镓工艺的氮化镓Chiplet技术。该氮化镓Chiplet技术具有以下特点：

• 业界最薄的氮化镓Chiplet，其底层硅衬底厚度仅为19μm，取自完全加工、减薄和单晶化的300mm硅基氮化镓晶圆，并展现出卓越的晶体管性能和品质因数；
• 业界首个采用单片集成氮化镓N-MOSHEMT和硅PMOS工艺的全功能集成片上CMOS数字电路库，涵盖反相器、逻辑门、多路复用器、触发器和环形振荡器等；
• TDDB、pBTI、HTRB和HCI测试结果令人满意，表明该300mm氮化镓MOSHEMT技术能够满足所需的可靠性指标。
  
  

英特尔认为，这项工作中展示的技术要素表明，300mm GaN-on-silicon 技术是一种有吸引力且功能强大的Chiplet技术，适用于高性能、高密度、高效功率和高速/射频电子产品。