长鑫存储开始试产HBM3E内存

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8 月 31 日消息，据《The Information》今日报道，长鑫存储已启动 HBM3E 内存的风险试产工作。

据报道，长鑫存储当前计划扩大产能。预计到今年年底，该公司的 DRAM 制造能力将达到每月 35 万片晶圆，未来几年的产能还将继续提高。目前长鑫的 HBM3E 生产规模依然十分有限，这意味着他们刚刚进入风险试产阶段。

虽然我们还不清楚长鑫存储 HBM3E 的具体规格。但根据 JEDEC（IT之家注：固态技术协会）规范，HBM3E 应采用 1024-bit 位宽，单引脚速率介于 9.2Gbps 至 12.4Gbps 之间，大多数标准配置的目标速率为 9.6Gbps。

在 9.6Gbps 的典型配置下，HBM3E 的总带宽可达 1.2TB/s。在采用 8 层堆叠（8-Hi）、单层 24Gb DRAM 芯片的情况下，其单个堆栈容量为 24GB；采用 12 层堆叠时，容量可达 36GB。

考虑到长鑫存储此前已具备从风险试产快速过渡到大规模量产的能力，因此其 HBM3E 有可能在数周内进入大规模量产阶段。

此外，长鑫存储在晶圆厂洁净室建设速度方面拥有明显优势。其建设一座晶圆厂洁净室仅需 12 个月，其他厂商通常需要两年。