挑战台积电：消息称英特尔携手联电开发12nm与3nm芯片工艺

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6 月 19 日消息，科技媒体 FundaAI 昨日（6 月 18 日）发布博文，报道称英特尔（Intel）为挑战台积电（TSMC）的代工主导地位，已和联电（UMC）达成合作，共同开发 12nm 与 3nm 芯片制造工艺。

联电是全球第四大晶圆代工厂，仅次于台积电、三星电子和中芯国际，目前拥有 12 座晶圆厂，全球员工数量超过 2 万，长期专注于成熟制程，产品广泛应用于工业与消费领域。

消息称英特尔和联电计划在英特尔亚利桑那州 Fab 52 工厂集中生产，联电无需自行购置昂贵的极紫外光刻机等核心设备，此次合作标志着联电首次涉足前沿制程。

消息称双方的 12nm 合作率先落地，PDK（工艺设计套件）将于今年交付客户，2027 年初完成流片，年底进入量产。该节点主要服务于物联网、WiFi 芯片等市场。

在 3nm 工艺方面，双方计划开发一款性能对标台积电 3nm 的制程节点，帮助英特尔在全球代工市场获取更大份额。具体协议结构与 12nm 类似，联电将利用英特尔的制造能力实现技术跃迁，而英特尔则借力联电的客户资源提升产能利用率。