模拟IC设计,在国内兴起的比较晚,目前成熟的很少,大家所作的芯片基本都是在仿TI、Maxim、国半、LT等国际大厂的产品,做到Pin to Pin,Specification也是基本相同,一句话,就是替换原则。由于国内IC设计公司基本没有自己的工艺厂,用的比较多的就是tsmc,chartered,还有比较便宜的csmc,所以在抄美国和台湾的芯片的时候大部分是只能抄个形似,而无法抄到神似的地步,因为一些特殊的电路,需要特殊的器件结构和掺杂浓度,而改变这一条件对与小的公司来说,价格不菲,风险较大。所以我针对目前国内较普遍的模拟IC设计现状,提一些不成熟的意见和经验,不当之处还请大侠斧正。
然后就是版图。你不要指望所有的电流镜都是那么准,所有的输入对管都没有offset,这是肯定不可能的,关键是你怎样去减小。除了电路设计中需要有意识的加大 W or L,还要计算,多大的offset会让你的电路完全不work。版图设计上,十字交叉已经普遍了。而节省面积似乎和Dummy管非常的矛盾,让人感到很难取舍。有一种办法就是,可以把一个20/3的mos管身边安放一个20/0.5的Dummy,呵呵,这样大家就不打架了!还有需要注意的东西,比如OSC是个活跃的东西,不仅仅体现在metal上面,它对Sub也是很不服气的,经常会搅的身边的住户鸡犬不宁,特别是喜欢安静的Current bias,OTA等。一些电阻既要比例准,又要绝对值准,没办法,把芯片上比较好的地方让出来给他们睡吧,这样在划片时产生的应力会对他们影响比较小。MPW很便宜,不要吝啬面积,多加Pad,让每一个电路模块都能在前面和后面电路单元都不work的情况下自己work,因为你不知道哪个模块会失灵,所以必须做足充分的准备,不能因为Bandgap一个人ba工惹得后面所有模块都成了石头块!另外每次都要在Scribe line上加test key,包括Full mask,我们从来不嫌对某个工艺的测量数据太多。Full Mask可以做许多版本,差别却只有一层metal,通过测试得到各个子电路的最优设计方案,下一次流片只要改一层mask便得到了最优组合,呵呵,有吸引力吧!