9月8日消息，长存三期（武汉）集成电路有限责任公司（以下简称“长存三期”）成立于9月5日，注册资本207.2亿元，大股东为长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”），法定代表人为长江存储董事长陈南翔。
根据企查查资料显示，长存三期经营范围包括集成电路制造、集成电路销售、集成电路设计、集成电路芯片及产品销售等。
股东信息显示，长存三期由长江存储持股50.19%、湖北长晟三期投资发展有限责任公司持股49.81%。其中，湖北长晟三期投资发展有限责任公司为湖北国资旗下企业，这一背景为新公司提供了坚实的资本与政策支持。
资料显示，长江存储成立于2016年7月，是国内专注于3D NAND闪存及存储器解决方案的领军企业。长江存储不仅提供了包括3D NAND闪存、嵌入式存储、移动硬盘、固态硬盘在内的多样化产品，还在2021年成功推出了唯一零售存储品牌“致态”。
在技术层面，2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。2019年9月，搭载长江存储自主创新 Xtacking® 架构的第二代TLC 3D NAND闪存正式量产。2020年4月，长江存储宣布第三代TLC/QLC两款产品研发成功，其中X2-6070型号作为首款第三代QLC闪存，拥有发布之时*业界*最高的I/O速度，最高的存储密度和最高的单颗容量。虽然在2022年，美国制裁了长江存储，并且限制了先进半导体设备的对华出口，但是2023年，长江存储通过Xtacking 4.0技术已经突破了232层以上的3D NAND Flash。目前在技术上已经达到了三星、SK海力士、美光等一线NAND技术厂商的水平，并且凭借创新的Xtacking架构持续实现存储密度上的领先。
据芯智讯了解，截至目前长江存储已在武汉、北京等地设有研发中心，全球共有员工12000余人，其中研发工程技术人员7000余人。
此次长存三期（武汉）集成电路有限责任公司的成立，或是继一期和二期工程后，为了启动三期工程建设做准备。此前长江存储在武汉基地就已经预留了三期项目的建设用地。
显然，此举将利好国产存储产业，也利好国产半导体设备产业。
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