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标题: 意法合资半导体（ST Microelectronics）试制成功采用MEMS技术在芯片上形成通常外置 [查看完整版帖子] [打印本页]

时间: 2005-2-21 14:23

作者: 飞天豹 标题: 意法合资半导体（ST Microelectronics）试制成功采用MEMS技术在芯片上形成通常外置

意法合资半导体公司（ST Microelectronics）试制出了采用MEMS技术在芯片上形成通常外置的RF滤波器的手机IC，并在日前举行的“2005年国际固体电路会议（ISSCC 2005）”上进行了技术发表（演讲序号为21.3）。值得注意的是————为了实现在IC上的集成，采用了薄膜腔声谐振器（FBAR）技术。在W-CDMA接收IC上集成FBAR滤波器的样品在ISSCC上发表尚属首次。与使用外置RF滤波器相比，实现了毫不逊色的滤波器特性。FBAR（BAW）谐振器利用的是在硅底板上形成的压电薄膜（AIN等）在垂直方向上的谐振。作为使用硅底板而能够实现与RF收发器等其他半导体元件进行单芯片的技术，受到了业界关注。由于能够采用半导体生产技术，因此德国英飞凌科技、荷兰皇家飞利浦电子和美国英特尔等半导体厂商也将进行此类开发。作为面向北美地区CDMA手机的分路滤波器（Branching Filter），安捷伦科技目前已经上市采用了FBAR技术的产品。此次集成的滤波器属于面向W-CDMA方式的2.145GHz频带的带通滤波器。将8个BAW谐振器连接成了双格型（Double Lattice）。谐振器下部设计了厚2μm的空腔。滤波器面积为0.45mm2。采用硅锗：碳（SiGe：C）双极CMOS技术生产。接收IC中除这种滤波器外，还集成了低噪声放大器（LNA）和用于降频转换的混频器。该公司表示，从对IC特性进行测试的结果来看，得到了与使用外置滤波相同的特性。比如，频带外抑制比方面，在1.95GHz下为-55dB。SAW滤波器则为-47dB。2.11GHz～2.17GHz下的插入损耗（Insertion Loss）为-3dB。这次的论文是意法半导体与法国CEA-LETI和瑞士CSEM等研究机构联合发表的。CEA-LETI和CSEM在此次会议上还单独就BAW谐振器进行了技术发表（演讲序号为21.2）。

时间: 2005-2-21 19:41

作者: andy_qhz

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