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标题: LTE中上层如何通过Baseband调节RF输出功率的 [查看完整版帖子] [打印本页]

时间: 2015-8-25 22:32

作者: zhangmangzi 标题: LTE中上层如何通过Baseband调节RF输出功率的

求助L2/L3及射频的jiayuaner：

做基带处理时，L1是数字域的IQ数据，通过API从上层接收的RS功率调节dB值范围（如：0 ~ -64dB），来调节基带IQ数据大小并传给RF模块；而L2/L3是用的绝对功率dBm值，比如36.331里面的 referenceSignalPower。

问题是：是否L1的0dB（即最大RS功率）即对应RF的最大发射功率(dBm)，L2/L3如何控制RF的发射功率的？它需要知道RF的最大发射功率和增益等信息么，如何获得的？如果采用AGC的非固定增益，L2/L3如何计算数字域和模拟域的dB映射关系的呢？

时间: 2015-8-27 10:24

作者: FFT333

好专业。。

时间: 2015-9-16 14:33

作者: Vortex

模拟那块有功率补偿预测，具体是什么样去问高通的人

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