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发表于 2022-11-19 20:19:05 |显示全部楼层
在半导体行业,极紫外光刻技术对于未来光刻技术乃至于先进制程有着重要意义。
随着先进制程的进一步推进,全球半导体制造龙头台积电、三星、英特尔纷纷扩大EUV光刻机资本开支,积极扩充7nm以下先进产能。

与此同时,各大芯片设计公司,例如大家熟知的高通、英伟达、博通、联发科、AMD、苹果、海思等,都在加码先进芯片领域的资本支出。大家不妨认为,掌握EUV技术,就是掌握未来半导体先进制程的发展方向和制高点。

在这种前提下,各大芯片设计公司其实也会进行系统地研究,也会有不同程度地涉猎光刻领域。但实际上,各大公司也会在这一过程中遇到各种各样的问题,但也同样会因此积累到一些经验和专利。

   华为周二公布了一项新专利,展示了一种《反射镜、光刻装置及其控制方法》,而这种方法便能够解决相干光因形成固定的干涉图样而无法匀光的问题,在极紫外光的光刻装置基础上进行了优化,进而达到匀光的目的。
  专利名称:反射镜、光刻装置及其控制方法
  专利申请号:CN202110524685.X
  该专利提供一种光刻装置,该光刻装置通过不断改变相干光形成的干涉图样,使得照明视场在曝光时间内的累积光强均匀化,从而达到匀光的目的,进而也就解决了相关技术中因相干光形成固定的干涉图样而无法匀光的问题。
  该光刻装置包括相干光源1、反射镜2(也可以称为去相干镜)、照明系统3。其中,反射镜2可以进行旋转;例如,可以在光刻装置中设置旋转装置,反射镜2能够在旋转装置的带动下发生旋转。在该光刻装置中,相干光源1发出的光线经旋转的反射镜2的反射后,通过照明系统3分割为多个子光束并投射至掩膜版4上,以进行光刻。
  在光刻装置中,上述照明系统3作为重要组成部分,其主要作用是提供高均匀性照明(匀光)、控制曝光剂量和实现离轴照明等,以提高光刻分辨率和增大焦深。
  照明系统3的匀光功能可以是通过科勒照明结构实现的。
  该照明系统3包括视场复眼镜31(field flyeye mirror,FFM)、光阑复眼镜32(diaphragm flyeye mirror,PFM)、中继镜组33;其中,中继镜组33通常可以包括两个或者两个以上的中继镜。照明系统3通过视场复眼镜31将来自相干光源1的光束分割成多个子光束,每个子光束再经光阑复眼镜32进行照射方向和视场形状的调整,并通过中继镜组33进行视场大小和/或形状调整后,投射到掩膜版4的照明区域。
  通过在相干光源1与照明系统3之间的光路上设置反射镜2,在此情况下,相干光源1发出的光线经旋转的反射镜2反射后相位不断发生变化,这样一来,在经反射镜2反射后的光线通过照明系统3分割为多个子光束并投射至掩膜版4上时,形成在掩膜版4的照明区域的干涉图样不断变化,从而使得照明视场在曝光时间内的累积光强均匀化,从而达到匀光的目的,进而也就解决了相关技术中因相干光形成固定的干涉图样而无法匀光的问题。



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发表于 2022-11-19 20:44:07 来自手机 |显示全部楼层
不错   
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点评

hy1234  不招人忌是庸才。不如你们检讨一下。  详情 回复 发表于 2022-11-21 14:53

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  上校

注册:2010-11-8127
发表于 2022-11-19 20:50:03 来自手机 |显示全部楼层
对嘛 发布这样的消息才有意义 毕竟几个集装箱的设备 也必须一点点的啃过来

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发表于 2022-11-19 21:25:20 |显示全部楼层
建议申请英语专利

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saintinlove85  你咋知道人家没申请英文专利  详情 回复 发表于 2022-11-23 09:33
undebug25  好像发个英文你能看得懂似的  详情 回复 发表于 2022-11-20 06:06

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  上校

注册:2008-10-231089
发表于 2022-11-19 22:03:54 |显示全部楼层

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注册:2007-4-26772
发表于 2022-11-20 00:22:01 |显示全部楼层
看样子 用不到3年 华为3nm 自己搞出来

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  三级军士长

注册:2019-7-18288
发表于 2022-11-20 06:06:53 来自手机 |显示全部楼层
Vortex 发表于 2022-11-19 21:25
建议申请英语专利

好像发个英文你能看得懂似的

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  上校

注册:2021-2-81068
发表于 2022-11-20 06:16:11 来自手机 |显示全部楼层
要自己去做光刻机制造研究 才写的出这种专利吧  看来14nm破局指日可待

点评

tek2  这是euv光刻机的专利,euv是用来做7 5 3 nm  详情 回复 发表于 2022-11-20 15:39

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发表于 2022-11-20 14:35:50 |显示全部楼层

不要停

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  二级军士长

注册:2021-9-11107
发表于 2022-11-20 15:39:43 来自手机 |显示全部楼层
SOHU2021 发表于 2022-11-20 06:16
要自己去做光刻机制造研究 才写的出这种专利吧  看来14nm破局指日可待

这是euv光刻机的专利,euv是用来做7 5 3
nm

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注册:2020-12-16137
发表于 2022-11-20 15:47:15 |显示全部楼层
还剩10万7999里~~

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发表于 2022-11-21 10:43:19 |显示全部楼层
华为的效率是欧美的好几倍,进度比想象的还快

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注册:2017-2-2112
发表于 2022-11-21 10:45:22 |显示全部楼层
沸腾

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  四级通信军士

注册:2014-2-9256
发表于 2022-11-21 10:52:30 |显示全部楼层
慢慢来,量变到质变,总有一天会突破的,加油。

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注册:2020-7-139
发表于 2022-11-21 11:00:58 |显示全部楼层
有了光刻机 还需要原料和各种辅料。这个到时候也有可能被卡吧?

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  中将

注册:2013-3-22898
发表于 2022-11-21 11:14:36 来自手机 |显示全部楼层
焉又走 发表于 2022-11-21 11:00:58 有了光刻机 还需要原料和各种辅料。这个到时候也有可能被卡吧?

华为不是做光刻机的专业厂商。光刻机需要全行业之力,ASML基本就是整个欧美技术精华的集合

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注册:2020-4-1550
发表于 2022-11-21 11:36:53 |显示全部楼层
youyouran 发表于 2022-11-21 11:14
华为不是做光刻机的专业厂商。光刻机需要全行业之力,ASML基本就是整个欧美技术精华的集合

但是华为可以牵头研发,或者可以在上微项目外做第二套光刻体系,上微的资源可以同步复制给华为,如果早开始,现在都有protype了。

可惜一会儿军团,一会儿造车,浪费了产业史留名的大好机会。

点评

homecat123  1.不同的公司不存在牵头,我辛辛苦苦做出来的东西,凭什么给你~,2.HW擅长的还是内卷,如何让打工仔流血流汗,而不是创新。  详情 回复 发表于 2022-11-23 20:34
hy1234  要找出新的增长点,而且搞光芯片生产,投入太大了。单靠菊花一家,根本就做不到。 最近看国内的28nm光刻胶,18年立项,今年还不能够量产。现在还要靠小日本供货。  详情 回复 发表于 2022-11-21 14:55

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  四级通信军士

注册:2014-9-2573
发表于 2022-11-21 14:37:33 |显示全部楼层
挫败老美阴阳谋,还得看我中华有为。

中华有为,大国崛起,我沸腾了!!!

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注册:2018-4-26252
发表于 2022-11-21 14:53:16 |显示全部楼层
奇人无名 发表于 2022-11-19 20:44
不错

不招人忌是庸才。不如你们检讨一下。

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发表于 2022-11-21 14:55:43 |显示全部楼层
云中云 发表于 2022-11-21 11:36
但是华为可以牵头研发,或者可以在上微项目外做第二套光刻体系,上微的资源可以同步复制给华为,如果早开 ...

要找出新的增长点,而且搞光芯片生产,投入太大了。单靠菊花一家,根本就做不到。

最近看国内的28nm光刻胶,18年立项,今年还不能够量产。现在还要靠小日本供货。

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