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发表于 2017-12-5 14:52:53 |只看该作者 |倒序浏览
Western Digital(西部数据)今天推出了新一代iNAND嵌入式闪存芯片产品,分别支持UFS和eMMC两种标准类型,但均基于SanDisk的64层3D堆叠技术。其中,iNAND 8521支持UFS2.1,第五代智能SLC技术(小容量SLC做缓存),号称连续写入速度比当下的iNAND 7232(eMMC 5.1)提升了1倍(600MB/s),随机读取更是快了10倍,号称专为5G网络时代而生




而iNAND 7550支持eMMC5.1标准,性价比更高,连续写入速度260MB/s,随机读取20K、写入15K。

西数表示,iNAND 8521和iNAND 7550已经开始交付OEM厂商试样,容量是256GB。

SanDiks加入UFS2.1阵营,三星、东芝、SK海力士的有了新的对手,当然对于手机厂商和消费者来说,供货更稳定也会加速普及。

按照Counterpoint Research研究员Neil Shah的说法,到明年底,全球所有手机的ROM平均容量将超越60GB。

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