NAND Flash闪存的主要分类以NAND闪存颗粒的技术为主,NAND闪存颗粒根据存储原理分为SLC、MLC、TLC和QLC四类,分别是: SLC(英文全称(Single-Level Cell——SLC)即单层式储存 SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄,在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压,然后透过源极,即可将所储存的电荷消除,通过这样的方式,便可储存1个信息单元,即1bit/cell,速度快寿命最长,价格贵(约MLC 3倍以上的价格),约10万次擦写寿命。 MLC(英文全称Multi-Level Cell——MLC)即多层式储存 英特尔(Intel)在1997年9月最先开发成功MLC,其作用是将两个单位的信息存入一个Floating Gate(闪存存储单元中存放电荷的部分),然后利用不同电位(Level)的电荷,通过内存储存的电压控制精准读写。 即2bit/cell,速度一般寿命一般,价格一般,约3000---1万次擦写寿命。MLC通过使用大量的电压等级,每个单元储存两位数据,数据密度比较大,可以一次储存4个以上的值,因此,MLC架构可以有比较好的储存密度。 TLC(英文全称Trinary-Level Cell)即三层式储存 TLC即3bit per cell,每个单元可以存放比MLC多1/2的数据,共八个充电值,即3bit/cell,也有Flash厂家叫8LC,所需访问时间更长,因此传输速度更慢。 TLC优势价格便宜,每百万字节生产成本是最低的,价格便宜,但是寿命短,只有约1000次擦写寿命。 QLC(英文全称Quadruple-Level Cell)四层存储单元 全称是Quad-Level Cell,四层式存储单元,即4bits/cell。QLC闪存颗粒拥有比TLC更高的存储密度,同时成本上相比TLC更低,优势就是可以将容量做的更大,成本压缩得更低,劣势就是寿命更短,理论擦写次数仅150次。 每Cell单元存储数据越多,单位面积容量就越高,但同时导致不同电压状态越多,越难控制,所以导致颗粒稳定性越差,寿命低,各有利弊。
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