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发表于 2024-7-10 13:31:51 |显示全部楼层
IT之家 7 月 10 日消息,工商时报今天报道称,在 SK 海力士、三星、美光三巨头的大力推动下,2025 年高带宽内存(HBM)芯片每月总产能为 54 万颗,相比较 2024 年增加 27.6 万颗,同比增长 105%。

高带宽内存是一种基于 3D 堆栈工艺的高性能 DRAM,适用于高存储器带宽需求的应用场合,与高性能图形处理器、网络交换及转发设备(如路由器、交换器)、高性能数据中心的 AI 特殊应用集成电路结合使用,可以大幅减少半导体的功率和面积。

HBM 是 AI 加速卡成本占比最高的零件,有媒体拆解英伟达 H100 芯片,物料成本约为 3000 美元(IT之家备注:当前约 21847 元人民币),其中 SK 海力士供应的 HBM 成本就高达 2000 美元(当前约 14565 元人民币),占比 66%。

三大巨头现状
SK 海力士和美光目前仍是 HBM 的主要供应商,两家公司都采用 1beta 纳米工艺,并已向英伟达出货。



集邦咨询认为采用 1Alpha nm 工艺的三星预计将在第二季度完成认证,并于今年年中开始供货。

三大巨头扩产计划
三星正在逐步升级其在韩国的平泽工厂(P1L、P2L 和 P3L),以便用于 DDR5 和 HBM。

同时,华城工厂(13/15/17 号生产线)正在升级到 1α 工艺,仅保留 1y / 1z 工艺的一小部分产能,以满足航空航天等特殊行业的需求。

SK 海力士以南韩利川市 M16 产线生产 HBM,并着手将 M14 产线升级为 1α/1β 制程,以供应 DDR5 和 HBM 产品。

此外,无锡厂目前正积极将制程由 1y/1z 升级到 1z/1α,分别用于生产 DDR4 及 DDR5 产品。
美光 HBM 前段在日本广岛厂生产,产能预计今年第四季提升至 2.5 万颗;长期将引入 EUV 制程(1γ、1δ),并建置全新无尘室。




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