L晨光 半导体行业观察
近期，在AI浪潮席卷、汽车电子渗透率飙升，存储市场引领趋势下，半导体行业正迎来需求与技术双轮驱动的发展热潮。根据SEMI最新预测，2025年全球半导体产能将实现15%的同比增幅，创下历史新高。
在此背景下，从晶圆制造到先进封装，从AI芯片到存储器市场，半导体大厂相继释放明确的扩产信号，新一轮产能布局的帷幕已然拉开。
全球半导体巨头扩产图景 SK海力士：AI超级周期的最大赢家
在全球AI内存需求爆发的推动下，存储芯片巨头SK海力士启动大规模产能扩张，以“双线并进”为核心战略：在巩固高附加值HBM市场绝对领先优势的同时，积极扩充包括1c DRAM在内的通用型DRAM产能，形成“高端突破+通用补位”的战略布局。
作为第六代10纳米DRAM（1c DRAM）的核心玩家，SK海力士计划大幅提升该尖端通用DRAM产能。据韩国经济日报报道，其1c DRAM月产能将从当前约2万片300mm晶圆，于2026年提升至16-19万片，增幅达8-9倍，届时该产能将占其DRAM总产能的三分之一以上。
韩国利川工厂是此次扩产的核心引擎，通过现有产线工艺升级，该工厂1c DRAM月产量将先实现从2万片到14万片的增幅，部分业内人士透露实际产能或向17万片冲刺。扩产的1c DRAM将重点用于生产GDDR7图形内存模组和低功耗SOCAMM2内存模块，直接对接英伟达、AMD等科技巨头及云服务提供商的订单需求。
在HBM领域，SK海力士已占据全球超过60%的市场份额，几乎垄断英伟达的HBM订单。为延续优势，SK海力士针对英伟达HBM4的产能扩张正稳步推进，其位于韩国忠清北道清州园区的M15X工厂将于2025年四季度投产，配备1b DRAM生产线，月均进料量为6万片晶圆，主要用于生产HBM4核心芯片。目前，SK海力士HBM4已实现涨价超50%，单颗价格突破500美元，且2026年产能已全部售罄，预计将搭载于英伟达2025年下半年发布的Rubin芯片。
另一方面，受HBM产能挤压，全球标准型DRAM供应持续短缺，波及PC、笔记本电脑、智能手机及通用服务器市场。对此，SK海力士计划2026年标准型DRAM供应量较2025年增加超过一成：一是提升M16晶圆厂产能利用率；二是对M15晶圆厂进行产线转换，将部分代工业务或CMOS图像传感器生产线，重新配置为DRAM生产线。
SK海力士明确表示，尽管HBM增长迅猛，但标准型DRAM市场规模远大于HBM，在巩固AI内存领先地位的同时，满足标准型DRAM需求是公司战略重心之一，需要通过优化现有资产来保障供应，防止因过度倾向HBM而导致传统市场出现供应缺口。这也是其争夺DRAM全球市占率第一的关键支撑。
大规模扩产背后是密集的资本投入，SK海力士通过优化现有基地、布局新集群，为产能释放提供保障，2025年设施投资额预计约25万亿韩元，2026年将轻松超过30万亿韩元。
除利川工厂1c DRAM产线升级外，清州M15X工厂作为HBM产能核心载体已启动1b DRAM试验生产线，计划四季度举行落成典礼，初始月产量目标1万片晶圆，逐步提升至6万片。同时，SK海力士将利川、清州工厂的有限生产设备向新集群迁移，最大化现有基地产能效率。
此外，作为规划至2050年的长期项目，龙仁半导体集群是SK海力士未来产能扩张的核心支点。该集群近期获得龙仁特别市规划调整，SK海力士用地（A15）容积率从350%上调至490%，建筑物最高高度从120米放宽至150米，使得洁净室面积较原计划扩大50%。
根据规划，SK海力士将在该集群建设4座晶圆厂，单座规模与清州M15X工厂的6座晶圆厂相当。据此估算，4座晶圆厂全部完工后总投资至少达480万亿韩元，而SK会长崔泰元透露，该集群总体投资预计将达约600万亿韩元，差异主要源于长期规划中的物价上涨及开发成本增加因素。目前，龙仁首座工厂于2025年动工，预计于2027年投产。
总结来说，SK海力士的扩产计划展现了一家行业龙头在技术十字路口的精准判断，以利润丰厚的HBM为矛，积极抢占AI时代的技术制高点；同时以规模庞大的通用DRAM为盾，确保基本盘的稳定与增长。
据了解，SK海力士已在2025年一季度以36.7%的市场份额首度登顶全球DRAM市场第一，终结三星四十多年的垄断地位。此次扩产将进一步巩固其优势，同时在HBM领域通过技术壁垒筑牢盈利护城河。
三星：存储芯片加码对决， 2nm代工破局突围
面对SK海力士的强劲攻势，三星电子正以更大规模的扩产计划发起反击，同步推进存储芯片与先进制程代工两大领域的激进扩产：一方面以1c DRAM为核心冲刺高阶存储产能，重启关键工厂并布局长期生产基地，力图稳固DRAM市场主导权；另一方面加速2nm代工产能落地，斩获多家客户订单，打破台积电在先进制程领域的垄断格局。
在存储芯片领域，三星主攻高阶，1c DRAM成其产能竞赛核心。据悉，面对AI服务器对高带宽、低功耗内存的爆发性需求，三星将第六代10纳米级DRAM作为扩产核心，同步配套HBM产能升级与工厂布局优化，形成短期产能释放+中长期基地建设的双线策略。
为夺回并巩固DRAM市场领导地位，三星敲定明确的1c DRAM扩产时间表，规模创公司历史纪录。据TrendForce报道，三星采用“三步走”分阶段推进策略：
这一产能规模极具冲击力，当前三星整体DRAM月产能约65-70万片，20万片的1c DRAM产能将占其总产能的三分之一左右，不仅远超2022年半导体繁荣期13万片的DRAM扩产力度，更与竞争对手SK海力士形成直接对垒。据悉，目前其1c DRAM良率已从早期的不足30%大幅提升至50%-70%，并正向80%-90%的目标迈进。
三星计划通过两大路径保障产能落地：一是对现有DRAM生产线进行工艺转换，快速释放部分产能；二是追加对平泽第4工厂（P4）的投资，其4条生产线中3条已投入运营或即将投产，未来将专门负责1c DRAM与HBM4的量产工作。
在HBM领域，三星已凭借HBM3E出货量激增实现市场反弹。据CFM数据统计，2025年第三季度三星HBM位单元出货量环比激增85%，核心得益于向NVIDIA交付第五代HBM3E，这也成为其当季DRAM销售额环比增长29.6%、重回全球市场第一（份额34.8%）的关键推手。近期，三星还重组了内存业务部门，将HBM团队重新整合进DRAM设计部门，以加速HBM4及更下一代产品的开发，这显示了其技术路线的信心。
同时，为夯实中长期竞争力，三星近期重启了搁置两年的京畿道平泽工厂第二园区5号线（P5）项目，该项目耗资超60万亿韩元，计划2028年投产，将成为同时生产下一代HBM与1c DRAM的混合型工厂，未来还可能根据市场情况搭建晶圆代工生产线。
从更长远规划来看，三星正推动平泽第一园区（P1-P4）与第二园区（P5-P6）整合，打造总面积达87万坪的全球最大半导体生产据点。此外，三星还计划投资360万亿韩元，在龙仁半导体国家产业园区集群建设6座晶圆厂，2031年前全部完工，首期1号晶圆厂将于2026年底前开工、2030年投产，全部完工后三星将拥有12座运营中的晶圆厂。
另一边，在先进制程晶圆代工领域，三星借台积电产能满载的窗口期加速突围，2nm工艺成为其攻坚核心，目前已实现客户突破与产能初步布局。
据韩国媒体报道，由于台积电2nm产能紧张，多家中国挖矿芯片企业已将订单转向三星，两家企业每月晶圆交付量约为2000片12吋晶圆，占三星2nm总产能的10%。以每片晶圆约2万美元计算，这一订单预计为三星带来年销售额4.8亿美元，约占其2024年晶圆代工营收的4%。除挖矿芯片企业外，三星2nm客户已覆盖多元领域，包括自身系统LSI部门及汽车巨头特斯拉，而台积电的2nm客户则聚焦苹果、高通、AMD等传统头部厂商，两者客户结构形成差异化竞争。产能方面，三星计划到2026年底将2nm月产能提升至约2.1万片，较2024年底的目标增长约163%。
三星将2nm代工产能布局纳入母公司未来五年韩国450万亿韩元投资计划，依托平泽工厂产能拓展实现落地，与存储芯片扩产形成协同效应，凸显其“存储+代工”双轮驱动的战略意图。
此次扩产的背后，是三星对强烈市场需求和内部战略的取舍。
总而言之，三星的扩产计划是一场多战线、高技术难度的全面竞赛。在内存领域，以1c DRAM为杠杆，试图在HBM4技术上实现后发先至；代工领域则通过绑定大客户、加速美国本土产能落地来追赶台积电。
不过，其成败关键在于1c DRAM和HBM4的良率能否稳定提升至商业成功水平，以及2nm制程能否如期获得更多顶级客户订单。
美光：新建HBM专用产线， 突破韩系垄断格局
在全球AI驱动的HBM需求爆发期，美光科技近期也正加速产能扩张，核心聚焦日本广岛HBM专属工厂建设，同步推进先进DRAM工艺落地，意图突破韩系厂商在HBM市场的垄断格局，抢占AI存储供应链核心位置。
据日经新闻消息，美光近期宣布投资约96亿美元在广岛现有厂区内新建一座专用HBM生产设施，旨在应对全球HBM供需失衡、提升市场份额。
从推进节奏来看，新工厂预计于2026年5月启动施工，2028年左右实现量产出货。工厂达产后预计将实现月产10万片12英寸晶圆，主要聚焦HBM3E及下一代HBM4系列产品生产，预计将贡献全球HBM产能的15%左右。
政策支持上，日本经济产业省预计为该项目提供高达5000亿日元的专项补贴，覆盖项目初期投资的27%，不过目前美光与日本经济产业省均未正式证实补贴细节。
美光在日本广岛的扩产并非孤立布局，而是依托既有产能升级与技术突破形成协同效应，为HBM扩产提供支撑。早在去年，美光已宣布在广岛同一园区引入基于EUV工艺的DRAM生产线，项目投入5000亿日元自有资金，并获得日本政府近2000亿日元补贴。技术落地层面，今年5月，该产线首批采用1γ工艺生产的LPDDR5X产品已进入样品测试阶段。
1γ工艺作为美光先进DRAM核心技术，采用EUV光刻工艺，相比前代实现速度提升15%、功耗降低20%，不仅支撑LPDDR5X量产，更为HBM产品的良率提升与成本控制奠定基础。目前美光HBM3E产品已采用相关技术，良率已提升至60%以上，与行业龙头SK海力士的差距逐渐缩小，并已批量供应英伟达H200、GB300及AMD MI350等高端AI芯片平台。
在技术迭代方面，美光正加速推进HBM4研发，重点攻克混合键合工艺与高堆叠层数技术，计划2026年推出HBM4样品，2027年实现量产，与日本HBM工厂2028年出货的节奏形成衔接，确保产能释放后可直接对接下一代AI芯片需求。
总而言之，美光在日本广岛的96亿美元投资，是其面对AI内存超级周期的一场关键战略押注。这不仅关乎其自身能否在HBM市场更进一步，也是观察全球半导体供应链如何在技术竞赛与地缘政治双重影响下重构的一个重要案例。
值得注意的是，美光扩产也为行业释放明确信号：HBM已进入“技术研发+产能规模+供应链协同”的系统竞争阶段，具备全链条能力的企业将在AI存储赛道占据主导地位。而对国内存储产业而言，美光与日本的“企业技术+政府支持+产业链协同”模式，也为国内存储企业突破HBM核心技术、实现国产替代提供了可借鉴的路径。
台积电：3nm/2nm攻坚+CoWoS加码
受AI芯片需求激增驱动，台积电正加速先进制程与先进封装产能扩充，核心聚焦3nm、2nm及CoWoS三大领域，同步推进全球产能布局，以应对客户订单缺口。
因英伟达、AMD、特斯拉等客户争抢产能，台积电3nm供应短缺，已启动紧急扩产。据摩根士丹利报告预估，2025年底前3nm月产能将额外扩增2万片，达11-12万片；2026年将进一步提升至14-15万片，新增产能主要来自美国亚利桑那州二期厂房（约2万片/月）及中国台湾现有4、5nm产线转换（约1万片/月）。不过扩产受无尘室空间限制，部分区域已转用于2nm制程，只能依赖现有厂区挖潜。目前台积电正为特斯拉AI5芯片提供3nm制程设计与生产服务，3nm产能利用率已达100%。
与此同时，台积电2nm制程已于2025年下半年启动量产，需求远超预期。台积电计划将2nm晶圆厂数量从7座扩充至10座，新增3座落地台南市南部科学园区，与新竹（2座）、高雄（5座）现有工厂形成互补，总投资预估9000亿新台币，最早2026年动工，建成后月产能将超10万片。预计2026年底2nm月产能将从当前4万片提升至8-9万片，2028年达产能峰值。苹果已锁定其A20/A20 Pro芯片超半数初始供货量，特斯拉未来AI6芯片也将采用2nm制程，预计年贡献约20亿美元代工收入。
针对AI芯片封装需求，台积电重启CoWoS产能加速扩充计划，2026年月产量预计将从目前的7万片提升至12万片以上，新增产能主要来自友达光电原AP8工厂改造。目前台积电已将2025年CoWoS产能提升至两年前的三倍，嘉义AP7先进封装枢纽正稳步建设，美国亚利桑那工厂附近两座先进封装厂也将于2026年上半年动工，2028年底实现SoIC和CoWoS生产。
扩产背后，台积电大幅提升其资本支出，2025年资本支出区间为400-420亿美元，70%用于先进制程。摩根士丹利预测，台积电2026年资本支出将升至480-500亿美元，70%-80%投向2nm、A16等先进制程，剩余资金用于先进封装。台积电在中国台湾、美国加速扩产，日本、德国工厂进展相对缓慢，全球范围内同步建设10座工厂，以匹配未来五年稳定的客户订单需求。
总而言之，台积电的扩产是一场围绕制程领先、封装协同和全球布局的全面竞赛。其目标不仅是满足当前订单，更是为了构筑一道涵盖技术、产能、供应链的综合性壁垒，以锁定未来AI时代最核心的制造主导权。
格罗方德：欧洲半导体主权的守护者
面对全球半导体供应链重构及欧洲本土芯片需求激增，格罗方德（GlobalFoundries）近期敲定核心扩产计划——聚焦德国德累斯顿工厂启动“SPRINT”扩建项目，以强化欧洲半导体制造能力，抢占差异化技术赛道。该计划已获德国政府高度认可，且有望纳入《欧洲芯片法案》支持框架，成为欧洲提升供应链韧性的关键落子。
格罗方德宣布，计划投资11亿欧元扩大德国德累斯顿工厂产能。该扩建计划分阶段推进，第一阶段预计2028年完成，届时工厂年产能将提升10%，达到每年110万片晶圆，远超初期每年超100万片的目标，使其成为欧洲同类芯片工厂中规模最大的制造基地。
作为项目核心，德累斯顿工厂将同步进行设施升级，重点搭建端到端的欧洲本地流程与数据流体系，以满足汽车、国防等关键领域对半导体的安全要求。格罗方德欧洲晶圆厂总经理Manfred Horstmann博士明确表示，此次扩产不仅是为满足短期需求，更核心是保障欧洲工业基础的未来竞争力，确保本地获得关键芯片技术。
据悉，该扩产计划深度契合欧洲半导体战略，已获得德国联邦政府与萨克森州的明确支持，预计今年晚些时候将通过欧盟审批，纳入《欧洲芯片法案》补贴框架。
此次扩产背后，是格罗方德针对市场需求与战略布局的双重考量。从客户需求来看，全球芯片供应链脆弱性日益凸显，尤其是汽车行业多次因芯片短缺陷入动荡，欧洲主要客户对供应链多元化的诉求持续升级。格罗方德CEO Tim Breen表示，客户明确“需要非中国大陆、非中国台湾的供应渠道”以降低地缘政治风险，这一需求自新冠疫情期间芯片短缺后愈发强烈。
从行业趋势来看，各行各业都正加速向人工智能转型，对低功耗、嵌入式安全内存、无线连接等差异化技术芯片需求激增。格罗方德此次新增产能将重点聚焦这些领域，同时为下一代计算架构及量子技术创新提供支撑，巩固其在定制芯片领域的优势。此外，欧洲当前全球先进芯片生产市场份额仅8.1%，远低于其2030年20%的目标，格罗方德的扩产也被视为助力欧洲填补产能缺口的关键举措。
总体来看，格罗方德此次扩产，既是对欧洲芯片本土化需求的精准响应，也是其依托政策红利、深耕差异化赛道的战略布局。随着项目推进，不仅将提升格罗方德在欧洲市场的影响力，更有望推动欧洲半导体供应链韧性提升，为全球芯片供应链区域化重构注入新动力。
日月光加码先进封测，抢攻AI时代商机
近日，全球封测龙头日月光投资控股也正加速扩产。
日月光全资子公司日月光半导体董事会正式通过两项重大扩产决议，分别聚焦桃园中坜与高雄楠梓两大基地，通过产权收购与合建开发双模式扩充产能，凸显公司抢占全球先进封装市场的战略决心。
此次扩产基于双基地同步发力，围绕“北整合、南新建”思路展开，两项决议均与关系企业宏璟建设合作，既保障扩产效率，又优化资金配置。
一方面，日月光半导体以新台币42.31亿元，向宏璟建设购入桃园市中坜区第二园区新建厂房72.15%的产权。该厂房为双方此前合建项目，日月光原本已持有27.85%产权，此次收购后将实现100%控股。日月光强调，中坜基地是其北台湾先进封装与测试的核心据点，此次产权整合将为高阶CoWoS封装测试支援、AI客户导线、SiP封装等产能布局提供关键支撑，有效缓解当前先进封装产能紧张的局面。
另一方面，日月光与宏璟建设采用“合建分屋”模式，合作开发高雄楠梓科技产业园区第三园区第一期项目。项目建成后将导入先进封装测试设备，打造南台湾新一波高阶封装基地。日月光指出，楠梓第三园区将成为其南台湾封测战略的重要枢纽，助力完善AI、高性能计算及车用半导体的封测全流程布局，与中坜基地形成南北协同效应。
此次密集扩产背后，是AI产业爆发带来的先进封装需求井喷。日月光明确表示，扩产核心目的是应对AI带动的芯片应用增长，以及客户对先进封装测试产能的迫切需求。供应链业者透露，日月光10月刚宣布高雄K18B厂动土，短短一个月再推两项扩产案，侧面印证AI与HPC领域的长期需求趋势，且CoWoS等先进封装订单能见度已延伸至2027年。
数据显示，日月光先进封装产能利用率已达100%，2025年前七个月合并营收同比增长7.95%，创历史同期新高，公司全年目标实现先进封装与测试业务营收较2024年增加10亿美元。
因此，日月光此次双基地扩产是抢进AI世代封测商机的关键行动。中坜基地的产权整合可快速释放高阶封装产能，满足短期客户需求；楠梓新基地的建设则着眼长期，进一步强化南台湾封测产业集群效应——此前日月光已在高雄布局K18、K28等厂区，覆盖晶圆凸块、覆晶封装、CoWoS等全链条，此次新增产能将助力其形成更完整的先进封装产业生态，抓住AI芯片带来的增长机遇。
德州仪器：“双线并举”， 模拟芯片的产能巨擘
作为全球模拟与嵌入式处理芯片的巨头，德州仪器（TI）近期的扩产计划清晰地展现了一条与争夺最先进制程不同的战略路径，通过在亚洲和美国两线进行投资——马来西亚马六甲第二座封装测试工厂TIEM2投产，以及美国德州、犹他州七座晶圆厂建设，形成“后段封装强化+前段晶圆攻坚”的全链条产能升级，既保障全球供应链韧性，又响应美国本土芯片制造回归战略。
近期，德州仪器宣布其位于马来西亚马六甲的第二座封装和测试工厂TIEM2正式投入使用，这是其深耕马来西亚半个世纪后的重要产能补充。该工厂总潜在投资额约11.98亿美元，与现有马六甲封装测试工厂无缝衔接，形成规模化生产集群。
TIEM2配备先进自动化生产设备，聚焦模拟与嵌入式芯片的凸点、探针、组装及测试全后段制程，预计每年可封装测试数十亿颗芯片，广泛应用于汽车、智能手机、数据中心等核心电子系统，将进一步缓解全球电子产业对关键封装产能的需求压力。
德州仪器自1972年在马来西亚雪兰莪州开设第一家工厂以来，已在当地布局马六甲、吉隆坡两大封装测试基地，此次TIEM2投产进一步巩固其在东南亚的后段制造枢纽地位，与全球15个制造基地形成协同，强化供应链区域化布局的灵活性。
2025年6月，德州仪器还宣布一项创美国成熟芯片生产纪录的投资计划——斥资超600亿美元在德州、犹他州建设七座晶圆厂，预计创造超6万个工作岗位，聚焦300毫米模拟与嵌入式芯片产能提升，呼应美国政府半导体制造业回归战略。
据证券时报报道，该投资中460亿美元投向德州大本营，150亿美元落子犹他州，分布在三个核心制造基地：
德克萨斯州谢尔曼：首座新晶圆厂SM1于2025年启动初步生产，距破土动工仅三年；第二座SM2外部结构已完工，后续还计划增建SM3、SM4两座晶圆厂，应对长期需求； 德克萨斯州理查森：第二座晶圆厂RFAB2持续提升产量，延续2011年全球首个300毫米模拟晶圆厂RFAB1的技术路线，形成双厂协同； 犹他州利哈伊：首座300毫米晶圆厂LFAB1加速建设，相连的LFAB2建设进展顺利，未来将形成规模化300毫米产能集群。
德州仪器总裁兼首席执行官Haviv Ilan表示，此次投资旨在打造可靠、低成本的大规模300毫米晶圆产能，苹果、福特、美敦力、英伟达、SpaceX等美国领军企业均依赖其技术与制造能力。美国商务部长也强调，该合作将为美国芯片制造业提供未来数十年的支撑，强化本土供应链安全。
目前该项目推进顺利，Ilan在2025年4月透露，公司已完成约70%的资本投资阶段，进入最后攻坚期，待犹他州厂升级与谢尔曼园区建设完成后，将逐步减少资本支出，恢复股利、库藏股等股东现金回馈。
综合来看，此次密集扩产源于双重驱动：一方面，全球电子产业对模拟、嵌入式芯片的需求持续攀升，AI、汽车电动化、数据中心建设进一步放大产能缺口，TIEM2投产与美国晶圆厂建设形成后段-前段产能匹配；另一方面，美国《芯片法案》政策导向及客户对本土供应链的需求，推动其加大美国产能布局，英伟达、SpaceX等客户已明确依赖其美国制造芯片保障供应链安全。
值得注意的是，高资本支出曾引发部分投资人担忧，担心压缩短期回报。叠加近年来毛利率下滑，德州仪器近期传出拟对部分产品线涨价，被视为守住利润率的关键举措。
与台积电、三星等巨头聚焦于追赶摩尔定律的路径截然不同，德州仪器选择在特定芯片领域，通过制造规模来构筑护城河，近期扩产进一步打造了“东南亚封装+美国晶圆”的双核心格局。这种布局既平衡了全球供应链的区域韧性，又抓住了美国本土制造的政策与市场机遇，为其在模拟芯片赛道的龙头地位筑牢产能根基。
半导体产业链扩产热潮不断
与半导体制造大厂的产能竞赛同步，上游的材料与设备厂商也正在加速投资，为核心制造环节的扩张提供关键的“弹药”支撑。
其中，日本材料厂商正凭借其在光刻胶领域的技术优势，进行密集的全球化产能布局，以锁定未来2纳米及更先进制程的市场。
东京应化计划投资200亿日元在韩国建设光刻胶工厂，预计2030年投产，投产后其在韩国的光刻胶产能将提升3-4倍，产品主要供应半导体封装及存储领域；同时另投120亿日元在韩国新建高纯化学品工厂，完善半导体材料配套供应。
JSR则发力韩国市场，计划建设MOR生产基地，2026年底前投产，进一步强化其在先进光刻胶领域的全球领先地位。
富士胶片规划未来三年投资1000亿日元扩大半导体材料产能，布局覆盖日本、美国、欧洲及韩国市场，以应对全球AI产业带来的材料需求激增。
德国默克电子近日宣布，其位于台湾高雄、投资5亿欧元的全球最大半导体材料及电子业务生产基地已启动资质认证，计划2026年量产，主要生产先进芯片制造所需的薄膜、配方材料和特种气体等，其中关键的薄膜材料可助力实现先进芯片架构；该工厂投产后将满足当地约80%的薄膜材料需求及超50%的总体材料需求，提升本地自给率并更好服务亚太地区，这是公司践行多年“本地化战略”、增强供应链韧性的重要举措，进一步服务台积电等全球主要芯片制造商，适配3纳米及更先进芯片的生产需求。
三星电机也正加码AI相关半导体封装基板扩产，其FC-BGA基板产能利用率持续提升，第三季度已达72%并接近峰值，且该基板库存预计2027年前基本售罄；计划进一步扩大FC-BGA供应范围，从亚马逊、AMD等现有客户拓展至谷歌、博通等新客户，目标明年实现该业务两位数销售增长，同时优化业务结构，从专注IT产品转向人工智能和汽车应用领域，凭借高附加值产品抢占AI及高性能计算服务器相关基板市场，巩固其韩国唯一大规模生产服务器用FC-BGA芯片公司的地位。
在另一条技术赛道上，为解决AI芯片日益严峻的热管理瓶颈，欧洲金刚石晶圆项目获得重大推进。美国公司Diamond Foundry位于西班牙特鲁希略的工厂，累计获得约27.7亿美元投资，其中西班牙政府最新追加了7.53亿欧元，目标是建成全球最大的半导体级单晶金刚石晶圆生产基地，最终年产能目标达1000万克拉。
金刚石是目前已知导热率最高的材料，能将芯片热量快速导出，是突破下一代高功耗芯片散热瓶颈的关键。该项目从技术研发（已能生产4英寸金刚石晶圆）到规模制造，标志着超高热导率材料正从实验室走向产业化。
与此同时，SEMI近期发布的《全球半导体设备市场统计报告》，进一步从设备端印证了行业目前如火如荼的扩产趋势。报告表示，2025年第三季度全球半导体设备出货量同比增长11%，达到336.6亿美元。2025年第三季度出货量环比增长2%，营收增长主要得益于对先进技术的强劲投资，尤其是在人工智能计算领域领先的逻辑芯片、DRAM 和封装解决方案。此外，对中国地区的设备出货量也显著增长，进一步推动了整体的增长势头。
“今年迄今为止，全球半导体设备出货量已接近1000亿美元，创下前三个季度的历史新高，这反映了该行业持续强劲的发展势头以及对技术创新投资的坚定承诺，”SEMI总裁兼首席执行官Ajit Manocha表示。“人工智能的强劲需求持续推动着先进逻辑和存储器领域的支出，以及面向节能封装应用领域的支出。这一积极的发展趋势凸显了半导体在构建一个更智能、更互联的世界中发挥的关键作用，而这个世界正是下一代数字解决方案的基石。”
总而言之，当前的半导体扩产浪潮是全产业链的共振。在制造端大幅增加产能的同时，上游材料和设备端的巨头们正通过前瞻性技术投资和贴近客户的全球化布局，为这场竞赛夯实基础，确保“弹药”供应，共同争夺AI时代的技术与市场主导权。
半导体“扩产潮”背后的逻辑
当前全球半导体行业的扩产浪潮，并非一次简单的增产，而是一场由AI革命驱动、供应链安全需求倒逼、厂商战略理性权衡交织下的全方位产业重构。
本轮扩产潮是多重因素共振的结果：
AI需求的超级周期：AI从训练扩展到推理，不仅引爆了HBM需求，也带动了用于AI推理的先进通用DRAM，导致全品类内存价格飙升。OpenAI、英伟达等巨头直接锁定巨额产能，扭曲了传统市场供应。 地缘政治下的供应链重构：全球各国将半导体视为战略资产。美国的《芯片法案》、日本的复兴计划、欧盟的《芯片法案》等都通过巨额补贴，引导产能本土化，这已深刻改变了厂商的选址逻辑。 厂商自身的战略考量：本轮扩产并非盲目。主要厂商在经历了过去几年的行业周期性波动后，表现出更强的战略定力。经历过严重过剩周期的内存巨头们，此次扩产极具纪律性，优先通过提升现有产线利用率、转换产品线来增加供应，而非盲目建新厂，以防止未来市场反转。此外，台积电在先进制程上的扩张也表现出战略聚焦而非全面铺开。
在核心领域，AI内存与先进制程赛道的赢家通吃效应持续凸显，头部企业展开激烈角逐，既有三星全力追赶SK海力士争夺HBM市场优势，也有台积电凭借产能规模与技术壁垒构建竞争护城河。
与此同时，全产业链成本压力逐步传导，巨额建厂投资、设备紧缺及原材料价格暴涨共同推高芯片成本，最终通过AI服务器等中间环节间接影响消费电子市场。产业竞争模式已实现迭代升级，从单一制程节点的比拼，延伸至“先进制造+先进封装+高端内存”的系统性能力较量，而成熟制程领域则围绕地域安全与特色工艺，呈现差异化竞争加剧的态势。
全球主要半导体企业均在主动重构产能布局，这场由AI驱动的产能竞赛，不仅引发短期价格波动，更将推动行业长期技术迭代与产业格局深度变革。
写在最后
站在AI技术爆发的时代关口，半导体行业的扩产竞赛早已超越单纯的产能比拼，成为关乎未来十年全球算力基础设施主导权的战略博弈。
从韩国存储双雄的HBM话语权争夺，到晶圆代工与封测龙头的技术壁垒构建，再到欧美国际厂商的区域化产能布局，全球半导体产业的竞争边界不断拓展，新的生态格局加速成型。成本传导带来的短期挑战固然存在，但更值得关注的是，这场竞赛正倒逼行业实现技术创新与供应链韧性的双重提升。
未来，随着产能布局的逐步落地与技术路线的持续迭代，全球半导体产业将迈入更具弹性却也更趋复杂的发展阶段。这场竞赛的最终结果，不仅将决定全球算力版图的核心架构，更将深刻影响下游诸多产业的发展走向，其深远意义仍待时间印证，而这场由AI驱动的产业变革，才刚刚拉开序幕。
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发表于 2025-12-4 09:29:00