恩智浦计划退出5G功率放大器业务，将关闭美国GaN工厂

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荷兰半导体制造商恩智浦半导体（NXP）公司周三表示，计划在2027年前停止其5G功率放大器（PA）产品线，并关闭其位于美国亚利桑那州钱德勒的射频氮化镓工厂。

恩智浦半导体的射频功率产品线主要服务于电信基础设施领域，为蜂窝基站提供射频功率组件。

然而，NXP的一位发言人表示，由于移动运营商投资回报率不足以及全球5G基站部署规模偏小，NXP决定退出无线电功率市场，并缩减其位于钱德勒的ECHO GaN工厂的运营规模。

恩智浦半导体的ECHO晶圆厂生产基于氮化镓芯片的5G设备用功率放大器。

恩智浦发言人表示：“鉴于市场现状且复苏前景黯淡，射频业务已不再符合公司的长期战略方向。因此，恩智浦决定逐步缩减其射频功率产品线。”

据了解，恩智浦位于亚利桑那州钱德勒的ECHO晶圆厂于2020年9月正式启用，当时5G技术正处于蓬勃发展的时期。恩智浦称其为同类工厂中“最先进”的。此前，一些老旧的晶圆厂曾为全球4G网络生产功率放大器（PA）芯片。恩智浦的功率放大器采用一种名为横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）的硅基技术，在早期移动通信领域应用广泛。ECHO晶圆厂的任务是生产基于氮化镓（GaN）的5G设备用功率放大器。恩智浦将氮化镓视为功率密度和效率方面的新“黄金标准”。

仅仅五年后，ECHO晶圆厂就即将关闭。这标志着这家荷兰公司退出了5G和射频功率（RP）市场，也使得爱立信和诺基亚等设备供应商在关键组件的选择上更加捉襟见肘。（集微网）