存储的市场空间调研纪要

无聊小北

梦想的第四维

一、存储行业核心趋势

（1）价格走势：2026年底起“正常化”，无崩盘风险

DRAM：短期内价格持续上涨，2026H2增速放缓，2027年回归2025Q3前水平，不会重现2019年暴跌。

NAND：价格涨幅低于DRAM，2026年底起逐步正常化，需求可持续性存疑但供应增长谨慎。

HBM：结构性增长持续，2027年价格仅“正常化”而非崩盘，HBM4的40%溢价抵消HBM3E的20%降价。

（2）毛利率：创历史新高，周期表现最优

DRAM行业毛利率：2026Q4达77%历史峰值，2027Q4仍维持62%高位，成为史上表现最好的周期。

NAND行业毛利率：同步攀升至历史新高，后续保持稳健水平。

（3）资本支出：DRAM大幅增长，NAND温和扩张

DRAM：2026年行业资本支出增长40%，三星、SK海力士、美光均计划大幅增加支出，用于设备和基础设施。

NAND：2026年资本支出增长30%，但基数极低，整体水平仍低于2022年前。

二、HBM（高带宽内存）关键动态

出货量：2026年比特出货量增长100%，2027年再增长35%。

收入：2026年HBM收入将达750亿美元，占DRAM总收入比例2026年因常规DRAM价格暴涨而下降，2027年回升至40%。

产能与竞争：2027年HBM晶圆消耗量将占DRAM总消耗量的28%，可能超越常规服务器DRAM；三星在HBM4领域竞争优势提升，份额有望反弹。

三、中国厂商发展与影响

市场份额：长鑫存储（DRAM）2025-2027年份额从8%升至10%，长江存储（NAND）从12%升至15%。

供应影响：虽增速显著，但基数较低，2年内不会将市场从短缺转为过剩；长鑫存储需供应HBM支持国内AI芯片，进一步限制常规DRAM产能。

长期风险：NAND领域无需EUV设备，中国厂商在出口管制下仍可扩张，成为incumbent厂商的长期威胁。

四、风险提示

高波动性：存储股贝塔系数高，估值易受宏观风险偏好、AI泡沫担忧影响。

负面信号：DRAM厂商资本支出增加、中国厂商IPO可能引发短期波动，但历史显示存储现货/合约价格下跌才是股价反转的核心触发因素。

铠侠额外风险：最大股东贝恩基金已出售7%股份，后续可能继续套现，施压股价。

五、关键问答

问：2026-2027年存储行业价格和毛利率的核心预测是什么？

答：价格方面，2026年底起DRAM和NAND价格逐步“正常化”，DRAM2027年回归2025Q3前水平，HBM无崩盘风险；毛利率方面，DRAM行业2026Q4达77%历史新高，2027Q4仍保持62%，NAND同步创历史新高后维持稳健，本次周期将成为史上表现最优的存储周期，核心支撑是价格正常化但成本下降带来的利润率维持。

问：HBM作为结构性增长领域，其2026-2027年关键指标预测及对行业的影响是什么？

答：关键指标：2026年比特出货量增长100%、收入达750亿美元，2027年晶圆消耗量占DRAM总消耗量28%；行业影响：一是支撑DRAM整体ASP维持高位，二是占用部分产能使常规DRAM供应保持紧张，三是改变竞争格局，三星凭借技术和产能优势有望提升份额，成为HBM领域核心受益者。