中芯国际：N+1半导体制程工艺开始导入，年底小规模试产！！！

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近日有报道称，在大规模量产14nm工艺后，中芯国际的N＋1代工艺已经进入客户导入阶段，可望于2021年进入量产。

对此，中芯国际回应称，该公司的第一代FinFET 14nm工艺已于2019年第四季度量产，第二代FinFET N＋1工艺已经进入客户导入阶段，可望于2020年底小批量试产。

按照这样的时间表推测，中芯国际N＋1代工艺确实会在2021年规模量产。

N＋1是中芯国际对其第二代先进工艺的代号，但从未明确具体数字节点，只是说相比于14nm性能提升20％、功耗降低57％、逻辑面积缩小63％、SoC面积缩小55％，之后的N＋2工艺性能和成本都更高一些。

今年8月底的时候，中芯国际曾表示，N＋1工艺进展顺利，已经进入客户产品验证阶段。