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发表于 2018-8-28 10:57:44 |只看该作者 |倒序浏览
继联电宣布放弃高级工艺12nm以下跟随策略后,位列全球代工晶圆第二的格罗方德(格芯)今天宣布放弃7nm FinFET工艺开发! 同时宣布,独立ASIC设计服务!这意味着,未来,7nm一下高级工艺可能就只有台积电和英特尔继续前行了!

根据TrendForce旗下拓墣产业研究院最新报告统计,由于2018年上半年全球代工厂top10排名如下:

可以看到台积电依然保持高速增长,排名第二的格罗方德和第三的联电增速都不及台积电,现在它们双双放弃高级工艺研发跟进,专注差异化代工服务也是明智之举,格罗方德奉行的双工艺策略,它是FD-SOI工艺的领先者,未来估计已经开发了22FDX,12FDX平台,未来估计会在这个工艺方向上重点投入。

以下是格芯全球公布的内容:

格芯(GLOBALFOUNDRIES)今天宣布其转型的重要一步,继今年初汤姆·嘉菲尔德(Tom Caulfield)接任首席执行官后,格芯正在重塑其技术组合,依照嘉菲尔德所阐述的战略方向,重点关注为高增长市场中的客户提供真正的差异化产品。

格芯正在重新部署具备领先优势的FinFET发展路线图,以服务未来几年采用该技术的下一波客户。公司将相应优化开发资源,让14/12纳米 FinFET平台更为这些客户所用,提供包括射频、嵌入式存储器和低功耗等一系列创新IP及功能。为支持此次战略调整,格芯将搁置7纳米 FinFET项目,并调整相应研发团队来支持强化的产品组合方案。在裁减相关人员的同时,一大部分顶尖技术人员将被部署到14/12纳米FinFET衍生产品和其他差异化产品的工作上。

“客户对半导体的需求从未如此高涨,并要求我们在实现未来技术创新方面发挥越来越大的作用”。嘉菲尔德表示,“今天,绝大多数无晶圆厂客户都希望从每一代技术中获得更多价值,以充分利用设计每个技术节点所需的大量投资。从本质上讲,这些节点正在向为多个应用领域提供服务的设计平台过渡,从而为每个节点提供更长的使用寿命。这一行业动态导致设计范围到达摩尔定律外部界限的无晶圆厂客户越来越少。我们正重组我们的资源来转变业务重心,加倍投资整个产品组合中的差异化技术,有针对性的服务不断增长的细分市场中的客户。”

此外,为了更好地施展格芯在ASIC设计和IP方面的强大背景和重大投资,公司正在建立独立于晶圆代工业务外的ASIC业务全资子公司。相关的ASIC业务需要持续使用最先进的技术。该独立ASIC实体将为客户提供7纳米及以下的晶圆代工替代选项,让ASIC业务部与更广泛的客户展开合作,特别是日益增多的系统公司,他们需要ASIC服务同时生产规模需求无法仅由格芯提供。

格芯正在加强投资具有明显差异化、为客户增加真正价值的领域,着重投资能在其产品组合中提供丰富功能的产品。这包括继续侧重于FDX™平台、领先的射频产品(包括RF SOI和高性能锗硅)和模拟/混合信号,以及满足越来越多低功耗、实时连接、车载设计需求的其他技术。随着自动驾驶、物联网和全球过渡至5G等新领域的强劲需求,格芯被赋予与众不同的定位——服务“智能互联”这一新兴市场。

“减轻前沿技术领域的投资负担将使格芯能够对物联网、IoT、5G行业和汽车等快速增长市场中对大多数芯片设计人员真正重要的技术进行更有针对性的投资,” Gartner研发副总裁Samuel Wang,先生表示,“虽然最先进技术往往会占据大多数的热搜头条位置,但鲜少有客户能够承担为实现7纳米及更高精度所需的成本和代价。14纳米及以上技术将在未来许多年继续成为芯片代工业务的重要需求及驱动因素。这些领域将有极大的创新空间,可以助力下一轮科技发展狂潮。”

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