台积电3nm重大突破！

托泥贾维斯

台积电CEO兼联席主席蔡力行(C.C. Wei)在投资者与分析师会议上透露，台积电的N3 3nm工艺技术研发非常顺利，已经有早期客户参与进来，与台积电一起进行技术定义，3nm将在未来进一步深化台积电的领导地位。

目前，3nm工艺仍在早期研发阶段，台积电也没有给出任何技术细节，以及性能、功耗指标，比如相比5nm工艺能提升多少，只是说3nm将是一个全新的工艺节点，而不是5nm的改进版。

台积电只是说，已经评估了3nm工艺所有可能的晶体管结构设计，并与客户一起得到了非常好的解决方案，具体规范正在进一步开发中，公司有信心满足大客户们的所有要求。

三星此前曾披露，将在3nm工艺上采用基于纳米片(nano-sheet)的环绕式栅极(Gate-All-Around) MBCFET晶体管结构，工艺节点简称3GAAE。

考虑到台积电必须在新工艺上保持足够的竞争力，而且强调过3nm是全新的，所以必然也会有新的架构、技术、材料等。

另外，台积电5nm工艺使用了14个EUV极紫外光刻层，3nm上应该会使用更多，但仍可能继续保留DUV深紫外光刻技术，混合使用。

台积电此前曾披露，计划在2022年就量产3nm工艺。