中XIN已完成全球首个基于FinFET N+1 先进工艺的芯片流片和测试

无名小足

中XIN在2020年初就正式突破了14nm的工艺技术，成为全球少数能够量产14nm的芯片的厂商，而12nm的芯片也在试产中。

如今，其在7nm等更先进的工艺制程方面也实现了突破。

中XIN已完成全球首个基于FinFET N+1 先进工艺的芯片流片和测试，所有 IP 全自主国产，功能一次测试通过。

要知道，FinFET N+1与台积电7nm工艺相当，在功率和稳定性方面都非常相似，但主打的是低功耗，简单说，国产版的7nm半导体芯片来了。

最主要的是，首片国产 6 英寸碳化硅 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）晶圆在10月16日正式发布。

据悉，国产 6 英寸碳化硅 MOSFET 晶圆，基于碳化硅（第三代半导体材料）制成，用于新能源车、光伏发电等新能源产业，这意味国内厂商在半导体方面再进一步。