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中科院突破5nm光刻技术垄断？事实残酷却又是把双刃剑2022-10-24 17:28:46 来源: 熊猫点评V ![]() 四川
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《财经》新媒体近日的报道道出了事实真相：今年7月，中科院苏州所联合国家纳米中心在《纳米快报》上发表了题为《超分辨率激光光刻技术制备5纳米间隙电极和阵列》的研究论文，介绍了该团队研发的新型5纳米超高精度激光光刻加工方法。该论文的通讯作者博士生导师刘前特别强调，“不用EUV光刻机就能造成5nm芯片”是一个误读，超分辨率激光光刻技术与极紫外光刻技术是两回事。中科院研发的5nm超高精度激光光刻加工方法的主要用途是制作光掩模，因为目前国内制作的掩模板主要是中低端的，装备材料和技术大多来自国外。
“中科院突破5nm技术”消息引网上热议
该论文于2020年7月发表，随后在国际知名期刊《纳米通讯》（NanoLetters）上刊登。中科院当时发新闻稿称：研究团队针对激光微纳加工中所面临的实际问题出发，解决高效和高精度之间的固有矛盾，开发的新型微纳加工技术在集成电路、光子芯片、微机电系统等众多微纳加工领域展现广阔的应用前景。
自媒体上的评论认为，5纳米光刻新技术已经实现了突破，接下来只要在设备制造和生产商再次获得突破，那么未来可能5纳米直刻技术就能够很好的应用到生产中去了。事实真是如此吗？
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据《财经》新媒体12月2日发文称，2020年7月中科院官网宣布，苏州所联合国家纳米中心在《纳米快报》（NanoLetters）上发表了题为《超分辨率激光光刻技术制备5纳米间隙电极和阵列》（5nmNanogapElectrodesandArraysbyaSuper-resolutionLaserLithography）的研究论文，介绍了新型5纳米超高精度激光光刻加工方法。该消息引发外界沸腾，部分媒体称“突破ASML的垄断”、“中国芯取得重大进展”，“中国不需要EUV光刻机就能制作出5纳米制程的芯片”。
对国内制作5nm芯片能力的误读只是把双刃剑
但是，冷静细微分析后，其实可以发现，此次我国中科院突破超分辨率激光光刻制备5纳米高精度掩模板技术的消息闹出的乌龙欢呼事件其实是把双刃剑。如果从不乐观的角度看，国外对5nm芯片制造设备的垄断依旧存在，100%国产化路途还比较遥远，我们不能高兴得太早；另一方面，如果乐观地分析，最少能说明我们在5nm相关的光刻机领域又突破了一项技术，又前进了一步，在该领域的话语权又增加了一定的比例。
所谓“一口气吃不成胖子”、“罗马城不是一日建成的”，只有脚踏实地，才有可能在5G高速发展的时代，打造出100%国产的芯片
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发表于 2022-10-26 14:06:58
