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发表于 2011-11-15 13:25:30 |只看该作者 |倒序浏览
1.      更换OMU 单元的硬件(包括更换硬盘):
在更改OMU 单元状态到TE之前,需要先阻止磁盘更新ZDUP,待单元更改至工作状态后,恢复磁盘更新ZDUR
否则,如果不阻止磁盘更新,会导致这段时间硬盘数据更新异常,甚至导致OMU 单元无法正常启动。
详见NED 中更换HWAT 的例子。

2.      插拔或更换CLS 单元的硬件CL3TG_U_UA):
插拔或更换BSC CL3TG单元,将FALTY CLS 单元状态设置成SP 状态之后,需要按下WO状态CLS 'Forced control'键,如果是更换CL3TG单元后需要等待15min 石英晶振预热,再更改CLS单元为TE状态,单元诊断通过后,释放'Forced control'键;插拔或更换TCSM 3i CL3TG单元,步骤与此类似;
否则,如果不按下’Forced control’,不等待15min石英晶振预热,会导致MCMU 单元状态异常FLTY
详见NED中更换CL3TG 的例子。

3.      更换CLAB(_S)硬件:
FALTY CLAB 单元状态设置成SP 状态之后,需要按下WO状态CLAB 'Forced control'键,更换CLAB单元后, 更改CLS单元为TE状态,单元诊断通过后,释放'Forced control'键;
否则,如果不按下’Forced control’, 会导致CLAB 所辖单元同步异常,进而导致单元状态异常。
详见NED中更换CLAB 的例子。

4.      更换MCMU 单元硬件(只针对BSC3i2000 FLEXI BSC)
更换MCMU 单元硬件前,需要检查处于工作(WO)状态的MCMU INDEX 和工作(WO)状态的EMB INDEX是否一致,举例说明:当MCMU-0 处于WO状态,则需要保证EMB-0 同时处于WO 状态,如果不一致,需要将EMB 状态调整成与MCMU状态一致;
否则,如果状态不一致,当备用的MCMU 单元下电时,容易引起工作WO状态的EMB 单元同时下电,导致WO状态的EMB 单元FLTY ,进而引发EMB强制切换和BSC系统退服的故障。

5.对USB的操作
按照NED中对USB的操作要求是不能长时间将U盘留在USB接口上(Permanent connections of peripherals to the USB ports are not allowed.U盘长时间插在USB接口上,可能引发SCSI线或SCSI接口板的故障,导致硬盘WDU读写错误,致使MML在执行时导致部分命令不能执行。另外,在取走U盘前必须先将UMS的状态改成BL 状态。(it is recommended that you change the working state of the USB memory stick to BL before removing it.)

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