传台积电3nm良品率出现问题，或影响相关厂商的芯片计划

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此前报道指，台积电（TSMC）将在2022年下半年量产N3制程节点，并计划推出名为N3E的增强型3nm工艺，将拥有更好的性能和功耗表现，量产时间为2023年下半年。此外，还可能推出成本和设计有所差异的N3B等方案。在去年末，台积电已经在Fab 18中启动了3nm芯片的试生产。

据DigiTimes报道，台积电的N3制程节点方案未能顺利推进，已不断进行修正，但良品率等整体效能的提升进度仍低于预期，甚至在某些部分出现困难，需要重新安排，导致苹果等多家客户近期下单均以N5制程节点及其衍生的工艺为主，扩大了N4、N4P和N4X等工艺的使用。台积电N3制程节点专为智能手机和高性能计算（HPC）芯片而设计，在N5制程节点上进一步应用极紫外光刻（EUV）技术，光罩层数将超过20层。台积电承诺N3工艺相比N5工艺，性能可提高10%-15%，或者降低25%-30%的功耗。

台积电总裁魏哲家曾表示，N3制程节点仍使用FinFET晶体管的结构，是为客户提供最佳的技术成熟度、性能和成本。在台积电3nm工艺技术推出的时候，将成为业界最先进的PPA和晶体管技术，N3制程节点将成为台积电另一个大规模量产且持久的制程节点。早有传闻指，英特尔和苹果已率先获得台积电N3制程节点的产能。前者计划将该工艺使用在2023年发布的Meteor Lake上，制造GPU模块；后者则首先用在2023年新款iPad搭载的芯片上，目前在时间上也非常勉强。

台积电的3nm计划推进缓慢，甚至催生备用方案，本是三星追赶的好时机。不过三星在7nm及以下工艺上的研发也一直不顺利，使得5nm客户寥寥无几，近期4nm工艺因效能问题也备受争议。虽然三星在3nm制程节点引入了全新的GAAFET全环绕栅极晶体管工艺，并计划在2022年上半年量产第一代3nm工艺，不过外界并不看好。毕竟台积电在N3制程节点只是沿用FinFET晶体管，目前也遭遇了不小的困难，三星想越级使用，只会难上加难。尽管三星报价优惠，估计厂商普遍也不敢冒险使用。三星已在3nm计划里投下巨资，如果不达预期，或许难以收回成本导致项目亏损。