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发表于 2022-11-15 20:49:18 来自手机 |只看该作者 |倒序浏览
综合韩联社、koreatimes报道显示,全球光刻机龙头大厂ASML首席执行官温宁克(Peter Wennink)于今日在韩国首尔召开的一场新闻发布会上表示,ASML新一代的High-NA EUV光刻机将于2024年开始发货,每台设备的价格将在3亿至3.5亿欧元之间。

目前,EUV光刻机可以支持芯片制造商将芯片制程推进到3nm制程左右,但是如果要继续推进到2nm制程甚至更小的尺寸,就需要更高数值孔径(NA)的High-NA光刻机。

相比目前的0.33数值孔径的EUV光刻机,High-NA EUV光刻机将数值孔径提升到0.55,可以进一步提升分辨率(根据瑞利公式,NA越大,分辨率越高),从0.33 NA EUV的13nm分辨率提升到0.55 NA EUV的低至8nm分辨率(通过多重曝光可支持2nm及以下制程工艺芯片的制造)。   

在2021年7月底的“英特尔加速创新:制程工艺和封装技术线上发布会”上,英特尔已宣布将在2024年量产Intel 20A工艺(相当于台积电2nm工艺),并透露其将率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机。根据英特尔披露的信息显示,其还将于2024年量产更先进的Intel 18A工艺。目前,EUV光刻机可以支持芯片制造商将芯片制程推进到3nm制程左右,但是如果要继续推进到2nm制程甚至更小的尺寸,就需要更高数值孔径(NA)的High-NA光刻机。


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