ASML公布财报，来自China的营收增加3倍

奋斗士

ASML公布财报，来自China的营收增加3倍，按地区来分，China占ASML从8%变成24%，DUV出货数量大幅增加。EUV 出货从54%，下降成37%，来自China的业绩大幅增长，原因很明显，都在提前把DUV 拉进来。


从下面转的内容、以及美国对中芯国际限制是10nm这两点来看，

国产搞出28nm/16nm/12nm的可能性还是有的






//转：

一般认为28nm以下的工艺就已经是先进工艺了。而真正拉开不同公司的差距的是7nm。当台积电，三星争相进军3nm之时，昔日霸主intel仍然在10nm挣扎，第二大纯fab格罗方德早早放弃了7nm的研发，中芯国际仍在追赶，不过目前只是刚刚突破了12nm工艺。真正突破了7nm并继续前进的，目前仅有台积电和三星两家。

7nm是一个非常关键的节点，它是DUV光刻机所能达到的极限。从7nm开始，EUV光刻机将成为必须。没有EUV光刻机，将无法再进行下一代工艺的研发。

台积电的初代的7nm工艺，就完全由DUV光刻机实现。相对于台积电的上一代主要工艺节点16nm，7nm可以提供3.3倍的电路密度。相同功耗，可以提供35·40%的性能提升。如果基于相同的性能做比较，功耗可降低65%，非常可观。后来，台积电基于初代7nm工艺，在生产步骤上进行了优化，推出了一个改进版本。叫做7nm性能增强版（7nm Performance-enhanced version，n7p）， 性能有所提升，约7%。

在引入EUV光刻机之后，首次应用在7nm的一些步骤的改进上。一些在DUV光刻机下需要多次曝光才能够完成的图形，由于EUV的引入，可以一次完成。这样做的好处就是能够减少多次曝光所引入的不可控的畸变，从而提升芯片的一致性和良率。引入EUV的7nm，被命名为N7plus。根据台积电方面的数据，n7plus和初代n7工艺相比，电路密度提升1.2倍，相同功耗情况下，性能可提升10%。相同性能下，功耗可降低15%。

这些就是DUV和EUV在7nm工艺的差异。