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发表于 2026-1-29 13:51:08 |只看该作者 |倒序浏览
存储价格没有最高,只有更高。原厂的合约价尚能有明确的幅度,下游的现货价基本是一天一价,涨幅更是花样百出。其中以DDR4的涨价幅度最为夸张。

按产业发展规律,DDR4本应逐步让位,而DDR5也入市超过四年,但过去一年市场走势反常,DDR4价格涨幅远超预期,且大幅高于DDR5。

据外媒数据指出,去年9月起,DDR5现货价格上涨超过三倍。但DDR4涨幅,截至2026年1月26日,DDR4内存价格较一年前飙升约1845%,接近十九倍。
DDR4自去年初就启动涨势,上半年趋势明显,下半年加速上行,但技术更新、定位更高的DDR5年度涨幅仅465%,约五倍,表现远逊于DDR4。

在人工智能的浪潮下,存储芯片的需求创历史新高。也因为不同类别的存储所带来的利润率不同,原厂倾向生产利润率更高的HBM,使DDR4及DDR5常规产能收到挤压。但供给变小就给下游市场留足了操作空间,也让DDR4现货出现囤货和炒货的情况。

存储市场何时能正常呢?目前从各方口径来看,涨势或许还会持续。因为此次的繁荣并非短期的供需失衡和库存调整,而是人工智能引领的结构性变革,这让DRAM和NAND的作用发生了根本性变化。

变革的核心是英伟达的下一代人工智能加速器 Vera Rubin。这款芯片的数据处理单元 (DPU) BlueField4 配备了来自三星电子和 SK 海力士的 128 GB 低功耗 DRAM (LPDDR5X)。它大量采用了主要用于移动设备的 LPDDR,原因在于上下文记忆。为了让人工智能能够无缝记住用户提问的意图和过往对话的上下文,它必须实时存储海量数据。

此外,包括人形机器人在内的机器人市场的蓬勃发展也是存储器行业的一个重要利好因素。由于电源效率的必要性,电池供电的机器人必然需要使用移动DRAM和LPDDR。

TrendForce预计,今年第一季度DRAM和NAND闪存价格将分别较上一季度上涨超过60%和38%。整个系统,包括硬件和软件,正在围绕内存进行结构性重组。预计到2026年,全球存储器半导体市场规模将达到5516亿美元。增长势头并未就此止步,预计到2027年市场规模将达到8427亿美元,较上年增长53%。

据摩根士丹利指出,传统存储芯片供需缺口正持续扩大, 2026年行业将迎来新一波超级周期,DDR4、DDR3、NOR Flash及SLC/MLC NAND等产品供应紧张态势加剧。2026年1月,头部企业对DDR4采购态度积极,受供应限制,其一季度价格涨幅可能达50%,涨势将延续至二季度;而产能向DDR4转移,也导致高密度DDR3严重短缺,带动相关供应商业绩增长。闪存芯片领域,NOR Flash一季度报价预计上涨20%-30%,涨价趋势或延续至2026年下半年。

英伟达执行长黄仁勋日前表示,AI内存很快将成为全球最大的存储市场。英伟达强大的处理器需要搭配美光、SK海力士、三星等业者生产的高带宽内存,用于训练和运作大型AI模型,而随着AI模型愈来愈复杂,消耗与产生的数据量也激增,带动内存芯片需求热潮,并带旺较传统的储存系统制造商。

目前,内存与闪存的紧缺与涨价已蔓延至传统终端用户之外,计算机、智能手机首当其冲,智能汽车成为下一波承压主体,高阶车款内存规格趋近消费性电子产品,若涨价持续,单台车内存成本或持续向上,挤压车厂获利空间,产业经营压力加大。

不过,存储市场长久以来具备明显的景气循环特性,每隔几年便会在供给短缺与供过于求间摆荡,导致制造商未大幅扩充产能,特别是兴建新厂需要高昂成本与漫长时间。

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