三星将在2022年实现3nm工艺芯片

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上周，三星在美国举办了年度铸造业论坛(Foundry Forum)。在此次活动中，该公司透露了一个路线图，在芯片工艺技术方面，7nm将采用LPP工艺(Low Power Plus)，5nm将采用LPE工艺(Low Power Early)和3nm GAAE/GAAP工艺(Gate-All-Around Early / Plus)。7nm LPP工艺将是三星首次使用EUV光刻解决方案，并且预计在今年下半年投入生产。 采用新工艺的零部件大规模生产将于2019年上半年开始。其竞争对手台积电已开始使用其7nm+ 工艺（也使用EUV光刻技术）开始批量生产芯片，并开始其5nm工艺研发。

基于三星5nm LPE的芯片将提供超低功耗。 采用FinFET的最后一款芯片将采用4nm Low Power Early/Plus工艺生产。 采用这种工艺技术制造的芯片将具有更高的性能和更小的单元尺寸。 这两种工艺的芯片将分别于2019年和2020年开始生产。 今年早些时候，通过韩国的一份报告，称三星将生产7nm Snapdragon 855移动平台，据报道明年三星Galaxy S10将搭载该处理器。

从3nm节点开始，三星将使用其自己的下一代GAA（Gate all-around）架构MBCFET（multi-bridge-channel FET）。 3nm产品预计将在2022年左右开始。需要指出的是，节点尺寸越小，使用该工艺生产的芯片功能越强大且节能。