通信人家园

 找回密码
 注册

只需一步,快速开始

短信验证,便捷登录

搜索

军衔等级:

  一级军士长

注册:2016-4-28101
跳转到指定楼层
1#
发表于 2018-8-8 10:45:57 |只看该作者 |倒序浏览
根据长江储存的官方消息,长江存储科技有限责任公司今天公开发布其突破性技术——Xtacking,该技术将有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps,与DRAM DDR4的I/O速度相当。

根据官方的说明,采用Xtacking技术,可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺,以让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后,创新的Xtacking™技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses,垂直互联通道)将二者键合接通电路,而且只增加了有限的成本。

长江存储CEO杨士宁博士表示:“目前,世界上最快的3D NAND I/O速度的目标值是1.4Gbps,而大多数NAND供应商仅能供应1.0 Gbps或更低的速度。利用Xtacking™技术我们有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps,与DRAM DDR4的I/O速度相当。这对NAND行业来讲将是颠覆性的。”

据悉,长江存储已成功将Xtacking™技术应用于其第二代3D NAND产品的开发。该产品预计于2019年进入量产阶段。

举报本楼

本帖有 1 个回帖,您需要登录后才能浏览 登录 | 注册
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册 |

版规|手机版|C114 ( 沪ICP备12002291号-1 )|联系我们 |网站地图  

GMT+8, 2025-7-19 07:37 , Processed in 0.253944 second(s), 17 queries , Gzip On.

Copyright © 1999-2025 C114 All Rights Reserved

Discuz Licensed

回顶部