拔得头筹！三星宣布 3 纳米芯片正式开始量产

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三星在官方声明中表示，公司已经开始在其位于韩国的华城工厂大规模生产 3 纳米半导体芯片。与前几代使用 FinFET 的芯片不同，3 纳米芯片采用了新的 GAA（Gate All Around）晶体管架构，该架构改善了功率效率。与传统的 5 纳米芯片相比，第一代 3 纳米芯片工艺可以降低 45% 的功耗，提高 23% 的性能，并减少 16% 的面积。而第二代 3 纳米芯片工艺则可以降低 50% 的功耗，提高 30% 的性能，面积减少 35%。



虽然三星没有透露其最新代工技术的客户身份，但市场预计，三星本身和中国芯片设计公司上海磐矽半导体将是 3 纳米芯片的首批客户。

三星 3 纳米芯片量产使得其生产进度略快于同行。在同业竞争方面，台积电和英特尔分别计划在今年下半年和明年下半年开始大规模生产 3 纳米芯片。

虽然三星是全球第一个生产 3 纳米芯片的公司，但台积电正计划在 2025 年实现 2 纳米芯片的全球首个批量生产。

在本月初的股东会上，台积电董事长刘德音才强调，台积电的先进制程的进展都按照计划发展中，预计 2022 下半年将量产 3 纳米芯片。与三星不同的是，台积电将仍采较为成熟的 FinFET（Fin Field Effect Transistor，FinFET）工艺。一直到 2025 年量产 2 纳米时，才会采用 GAA 技术。

在市场份额方面，台积电依然牢牢保持的全球市场第一的宝座。根据 TrendForce 的数据，目前台积电控制着全球 54% 的芯片合同生产市场，三星以 16.3% 的市场份额排名第二。