台积电3nm制程工艺有望本月量产，明年产能将平稳提升

和其光同其尘

据国外媒体报道，三星电子6月30日就已在官网宣布，他们采用全环绕栅极晶体管架构的3nm制程工艺，已在当日开始初步生产芯片，上周也有外媒报道称，三星电子采用3nm工艺代工的首批芯片，已定于7月25日出货。


外媒在报道中表示，台积电采用鳍式场效应晶体管（FinFET）架构的3nm制程工艺，将在本月或之后量产，采用全环绕栅极晶体管架构的制程工艺，将在2025年量产。

如果台积电的3nm制程工艺，真如外媒报道的那样在本月开始量产，他们在这一工艺的量产时间方面，就只会略晚于三星，他们重要客户即将推出的硬件产品，也就有望搭载3nm制程工艺代工的芯片。