台积电2纳米芯片或2025年量产

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台湾芯片代工厂台积电2纳米制程将于2025年量产，市场看好进度可望领先对手三星（Samsung）及英特尔（Intel）。

综合中央社和台湾经济日报报道，台积电先进制程进展顺利，3纳米在今年下半年量产，升级版3纳米（N3E）制程将于3纳米量产1年后量产，即2023年量产，2纳米预计于2025年量产。

台积电研究发展资深副总经理米玉杰表示，将在2024年取得ASML下世代极紫外光微影设备（high-NA EUV），为客户发展相关的基础设施与构架解决方案。

台积电业务开发资深副总经理张晓强则说，2024年取得设备后，初期主要用于与合作伙伴共同研究，尚不会量产。

台积电2纳米厂将座落于竹科宝山二期扩建计划用地中，台湾竹科管理局已展开公共设施建设，台积电2纳米厂也开始进行整地作业。

台积电2纳米首度采用纳米片架构，相较N3E制程，在相同功率下，速度提升10%至15%，在相同速度下，功耗降低25%至30%。

台积电总裁魏哲家此前在台湾技术论坛中强调，台积电2纳米将会是密度最小、效能最好的技术。市场也看好，台积电2纳米进度将领先对手三星及英特尔。