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SK海力士出局! [复制链接]

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发表于 2024-3-26 14:17:57 |显示全部楼层
3月25日消息,据报道,由于SK海力士部分工程出现问题,英伟达所需的12层HBM3E内存,将由三星独家供货,SK海力士出局!

据了解,HBM需要在基础晶圆上通过硅通孔(TSV)连接多层DRAM,首批HBM3E产品均采用8层堆叠,容量为24GB。SK海力士和三星分别在去年8月和10月向英伟达发送了样品。此前有消息称,英伟达已经向SK海力士支付了约合5.4亿至7.7亿美元的预付款,供应下一代HBM3E。

SK海力士和三星都在推进12层堆叠HBM3E的开发,容量也将提升到36GB,其中需要解决一些器件特性和可靠性验证问题。上个月三星宣布,已开发出业界首款12层堆叠HBM3E,提供了高达1280GB/s的带宽,预计今年下半年开始大规模量产。

不过市场消息,SK海力士因部分工程问题,未能推出12层HBM3E产品,但计划从本月末开始批量生产8层HBM3E产品。

今年2月27日,三星电子官宣成功开发出业界首款36GB 12H(12层堆叠)HBM3E DRAM内存。同时相比于8层堆叠,其AI训练速度平均提高34%,同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍。

据报道,三星在技术上采用了最新的热压力传导性膜(TC NCF)技术,成功维持了12层产品的高度与其前身8层HBM芯片保持一致,满足了现有的HBM封装要求。

三星电子存储产品规划执行副总裁Yongcheol Bae表示,这种技术在未来会带来更大的突破,尤其是在高层次堆叠方面,因为全球都在为此头疼的薄晶圆翘曲问题提供解决之道。他强调,三星正在努力减少NCF材料的厚度,并且已经实现了当今市场上最小的芯片间隙(7微米),如此一来就可以消除分层空隙,且新技术的进步提高了垂直密度超过20%。



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