小米玄戒3nm芯片合规研究

coffee198375

现阶段小米公司未在美国的出口管制和制裁“黑名单”中，并已从美国防部1237清单移除。

1、2025年1月15日，BIS发布的《对先进计算集成电路实施额外的尽职调查措施》的临时最终规则是否对采用第二代3nm工艺制程的小米玄戒O1有影响？

当地时间2025年1月15日，美国商务部工业与安全局（BIS）发布了一项临时最终规则（Interim Final Rule，简称“IFR”），修订了《出口管理条例》（Export Administration Regulations, EAR），并针对先进计算集成电路（Advanced Computing Integrated Circuits, IC）提出了额外的尽职调查程序要求。该规则的重点是为代工厂（Front-End Fabricators）和外包半导体组装与测试（Outsourced Semiconductor Assembly and Test, OSAT）公司在遵守EAR关于供应链中先进计算芯片的规定方面提供指导。该临时最终规则于当地时间2025年1月15日生效，无合规缓冲期。

此次修订在《出口管制条例》（EAR）第 740 部分的新补充第 6 号和第 7 号，增加两个清单，包括经批准的集成电路设计商和经批准的外包半导体封装和测试服务公司（outsourced semiconductor assembly and test services，OSAT）的清单，以及在指定目的地获得授权的集成电路设计商；并为要添加到获批 IC 设计人员和 OSAT 列表中的新公司创建一个流程。

该出口管制新规当中，提供了芯片设计厂商和封测代工厂（OSAT）“白名单”，台积电等晶圆代工厂为在白名单当中的芯片设计企业代工先进制程芯片将不受限制，而不在白名单当中的芯片设计企业（包括大陆及境外企业）要么向美国商务部提交申请，要么最终的封装需要交由在白名单当中的OSAT企业来进行封测。

本次IFR中，BIS在ECCN 3A090.a中增加了注释1，明确告知代工厂或封测厂在代工交付出口、再出口或转让（在国内）16/14nm及以下节点的非平面架构逻辑芯片时，可推定该芯片归类为ECCN 3A090.a，并为数据中心设计或销售。除非这一推定被推翻，否则代工厂和封测厂必须遵守适用于ECCN 3A090.a的管控要求。笔者理解，该推定将对中国逻辑芯片设计厂商产生重大影响——不再局限于AI芯片，凡是16/14nm及以下节点的非平面架构逻辑芯片，例如某国产10/12nm制程的手机处理器、某国产5nm智驾芯片、某国产7nm制程的通信芯片、某国产8nm智能设备芯片、某国产12nm通用桌面处理器芯片、某国产12nm存储控制芯片，都将被推定归类为ECCN 3A090.a，除非符合下列任一情况以推翻该推定：

（1）该芯片的设计者是“经核准的芯片设计者（approved IC designer）”或“经授权的芯片设计者（authorized IC designer）”，并且提供芯片技术参数数据表或其他“总体处理性能”和“性能密度”证明材料。

a. “经核准的芯片设计者（approved IC designer）”是当前已经通过美国政府的审查的芯片设计公司，例如AMD、Nvidia、瑞昱、联发科等。虽然未明确对芯片设计厂商的所在国家提出明确要求，但笔者理解中国逻辑芯片设计厂商获得经核准的芯片设计者身份具有一定难度，通过可能性仍然有待观察。

b.在2026年4月13日之前，“经授权的芯片设计者（authorized IC designer）”包括所有：1）总部位于台湾或A:1或A:5国家组，且自身和最终母公司均不位于澳门或D:5国家组；以及2）其交易须遵守EAR中的报告要求。但在2026年4月13日之后，符合前述标准的芯片设计公司必须向美国商务部提交申请，才能继续保留经授权的芯片设计者（authorized IC designer）身份，该身份有效期为180天。需要注意得是，BIS同时指出在2026年4月13日之后，成为“经核准的芯片设计者（approved IC designer）”是获得豁免的主要途径。笔者理解中国逻辑芯片设计厂商无法适用该路径。

（2）芯片在澳门或D:5国家组之外进行封装，且代工厂可以证明：

a. 最终封装芯片的“汇总近似晶体管数量（aggregated approximated transistor count）”低于300亿个晶体管，或

b. 最终封装芯片不包含高带宽存储器(HBM)，且最终封装芯片的“汇总近似晶体管数量（aggregated approximated transistor count）”：1）低于350亿个晶体管，在2027年完成出口、再出口或转移（国内）；或2）低于400亿个晶体管，在2029年或之后完成出口、再出口或转移（国内）。

如果是由代工厂在D：5或澳门以外的地点自行完成封裝（例如台积电CoWoS封装技术），如此时代工厂将明确知道最终封装的芯片是否超过上述规定的适用晶体管阈值，因此前端制造商不需要完全依赖客户的信息，可以自行对芯片的技术参数进行可信、可靠的评估。

笔者理解，绝大多数中国逻辑芯片设计厂商可以通过该路径在海外完成芯片流片，但同样将面临海外代工厂更为严苛的调查程序和合同条款：300亿个晶体管门槛值较高，当前国内主流16/14nm及以下节点的非平面架构逻辑芯片产品的晶体管数量无法达到该门槛值。能达到该门槛值的芯片通常是高度集成和先进工艺的芯片，用于支持复杂计算和并行任务处理，通常用于高性能工作站或数据中心。典型产品有：英伟达的H100、昇腾910C（公开信息推测）等。

（3）芯片由“经核准的封测者”封装，且该封测厂证明：

a. 最终封装芯片的“汇总近似晶体管数量”低于300亿个晶体管；或

b. 最终封装芯片不包含高带宽内存(HBM)，且最终封装芯片的“汇总近似晶体管数量”：1）低于350亿个晶体管，在2027年完成出口、再出口或转移（国内）；或2）低于400亿个晶体管，在2029年或之后完成出口、再出口或转移（国内）。

小米不是白名单当中的芯片设计企业，但是鉴于“玄戒O1的晶体管数量为190亿个”远低于阈值，即最终封装芯片的“汇总近似晶体管数量”低于300亿个晶体管，并把最终的封装交由在白名单当中的OSAT企业来进行封测，这样就推翻了适用于ECCN 3A090.a的管控要求。

在BIS该规定实施后，一位知情人士透露，部分中国 IC 设计公司还被要求将部分敏感订单的投片、生产、封装和测试全部外包，且在整个生产流程中不能进行干预。这一系列要求无疑给中国 IC 设计公司带来了巨大挑战。见合规观澜往期文章：美国对华半导体限制新规生效！台积电断供大批中国芯片公司16/14 纳米及以下相关产品

2、谁为小米玄戒O1代工

全球仅台积电（TSMC）和三星（Samsung）具备3nm量产能力。第二代3nm工艺（如台积电N3E）已逐步推进，但主要用于国际大客户（如苹果、高通、英伟达等）。若小米计划研发3nm芯片，需依赖这两家代工厂。

3. 小米3nm芯片的潜在风险点

代工依赖，面临美国潜在的出口管制：小米3nm芯片并由台积电/三星代工，但台积电和三星均依赖美国设备（如应用材料、泛林半导体）和EDA工具（如Synopsys、Cadence），因此难以完全规避美国技术。

供应链合规性：即使小米未被制裁，若其芯片用于超算、军事等敏感领域，可能触发BIS的“最终用途审查”。

美国出口管制新政策变化：中美科技竞争背景下，若美国政府持续扩大对中国半导体企业的限制范围，可能面临风险。例如，针对5月13日美国商务部BIS新公布的三个先进集成电路的合规指南中有关EAR通用禁令十的指引要求，可能将给包括小米在内的中国先进芯片设计和制造企业带来一定合规风险。然而，值得注意的是，使用中国公司开发或生产的ECCN3A090参数的先进计算芯片，也不一定全然违反美国EAR。具体仍要看这些先进计算芯片开发和生产过程中有没有使用受控的美国原产软件或技术，或是否使用了受控软件或技术直接制造的半导体生产设备生产等。