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发表于 2025-9-26 09:15:34 |只看该作者 |倒序浏览
近日,英特尔传出新动态,已向 ASML 追加订单,将高数值孔径极紫外光刻(High-NA EUV)设备的采购量从 1 台提升至 2 台。这一动作清晰表明,公司正将资本支出的核心聚焦于 14A 节点,全力推进先进制程研发与布局。

随着芯片制程持续向 2 纳米以下迈进,传统 EUV(极紫外光刻)设备正逐渐逼近物理极限,而 High-NA EUV 技术成为突破这一瓶颈的关键工具。这类设备堪称各大晶圆厂的 “战略物资”:一方面,其技术壁垒极高,在先进制程生产中具有不可替代的地位;另一方面,其成本也极为惊人,单台售价高达 3.7 亿美元。如此高昂的投入,使得仅有具备雄厚资金实力与稳定客户订单的企业能够承担,例如三星、台积电与 SK 海力士。

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英特尔此次敢于加大对 High-NA EUV 设备的投资,背后离不开近期获得的外部资金支持。其中,英伟达注资 50 亿美元,软银也投入 20 亿美元。这笔资金不仅显著增强了英特尔的现金流,也提升了其资本支出能力,为公司在先进制程竞争的关键节点上 “豪掷重金” 提供了难得的 “喘息空间”,助力其争夺高端制程的话语权。

目前,英特尔的战略目标已十分明确:将重心集中在 14A 制程上,借助 High-NA EUV 技术缩小与台积电、三星的差距,甚至实现反超。但与此同时,这一战略也伴随着巨大风险。英特尔高层已公开表示,若 14A 制程无法成功吸引客户采用,公司将不得不退出高端节点的竞争 —— 这意味着英特尔晶圆代工业务(IFS)的未来将岌岌可危。可以说,英特尔已将 “成败” 完全押注在 14A 制程上,这场布局堪称毫无退路的 “豪赌”。

需要注意的是,即便英特尔增加了 High-NA EUV 设备采购量,设备本身也未必能直接转化为制程突破,后续仍存在诸多变数。High-NA EUV 技术只是先进制程生产中的关键一环,最终能否实现稳定量产与商业成功,还取决于良率控制、设计工具适配、产业链协同等多个维度的表现。对英特尔而言,未来几年将是决定其在半导体行业地位的关键窗口期,市场也将持续关注并检验这场高风险投入能否为其带来真正的 “翻身” 机会。
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