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日本内存制造商 SAIMEMORY 于 2 月 3 日在英特尔举办的“Intel Connection Japan 2026”活动上首次公开亮相，介绍了其业务详情以及目前正在开发的新内存结构“ZAM”的概述。
SAIMEMORY 是一家由软银、英特尔和东京大学共同成立的存储器制造商，成立于 2024 年 12 月，并于 2025 年 6 月开始全面运营。其主要业务是存储器及相关产品的研发、制造和销售。
然而，此前从未公开宣布过此事，相关业务细节也一直不为人知。在本次英特尔活动上，一种面向人工智能市场的新型内存结构——ZAM（Z字形内存）——正式亮相。
到目前为止，存储器的结构都是堆叠在平面上的，但由于功率和散热的限制，目前这种结构的 16 层已经接近其极限，预计最大层数将在 20 层左右。
另一方面，ZAM 的命名源于 Z 轴，这意味着芯片是垂直堆叠的。与传统 DRAM 相比，这种设计可以实现更低的功耗、更大的容量和更宽的带宽。通过垂直堆叠芯片，每个芯片产生的热量可以均匀地向上扩散，从而有望解决传统平面堆叠方式中存在的散热问题。
SAIMEMORY总裁兼首席执行官山口秀也表示：“SAIMEMORY中的‘SAI’源自汉字‘天才’或‘天赋’，我们将向世界推广这一理念（顺便一提，有人说它可能是Softbank AI Memory，这当然也是一种可能性）。在当前人工智能蓬勃发展的环境下，我们预计变革将超越第一产业和第二产业的范畴，这同时也是一个机遇。我们可以为这一变革时期提供解决方案。”
该公司将其技术定位为“突破内存散热和性能瓶颈”，实现了低功耗、大容量和宽带宽。为实现这一目标，该公司表示已建立强大的合作伙伴关系，重点介绍了与软银和英特尔的合作，以及在日本和海外的各项投资和供应链。
从相关资料项目可以看到，该项目将得到先进存储技术 (AMT) 研发计划的支持，该计划由美国能源部和国家核安全管理局通过桑迪亚国家实验室、劳伦斯利弗莫尔国家实验室和洛斯阿拉莫斯国家实验室进行管理。
英特尔院士兼英特尔政府技术首席技术官约书亚·弗莱曼博士表示：“英特尔的下一代DRAM键合（NGDB）计划展示了一种全新的内存架构和革命性的组装方法，可显著提升DRAM性能、降低功耗并优化内存成本。标准内存架构无法满足人工智能的需求，因此NGDB定义了一种全新的方法，以加速我们迈向下一个十年。”
2025 年 6 月首次有报道称，英特尔和软银合作开发了一种堆叠式 DRAM（动态随机存取存储器）来替代 HBM（高带宽存储器），公司记录显示 Saimemory 公司于 2024 年 12 月首次成立。
当时的报道称，该项目预计耗资7000万美元，其中软银计划投资2100万美元。日本政府预计也将提供资金，理研研究所和新光电气也在考虑投资。今天（2月2日）发布的声明中并未披露任何财务细节或潜在投资。
通过此次合作，SAIMEMORY将利用英特尔的技术专长，推进下一代存储架构和制造技术的研究与开发。这包括英特尔在美国能源部支持下推进的先进存储技术（AMT）项目所建立的下一代存储基础技术，以及通过下一代DRAM键合（NGDB）计划所展现的技术专长。
ZAM的开发将利用英特尔在DRAM领域的技术，但软银发言人表示，ZAM“就像是DRAM的升级版，将采用全新的技术”。ZAM这个名字指的是“Z轴”。虽然技术细节尚未公布，但该发言人表示，“我们正在考虑采用垂直堆叠结构。”
SAIMEMORY希望通过ZAM技术，在人工智能数据中心等领域实现大容量、宽带数据处理、提高处理性能并降低功耗。软银将在2027财年原型机研制成功之前，投资约30亿日元。
软银发言人表示：“我们与英特尔已沟通了一段时间，但通过正式签署这份合作协议，我们将进一步深化双方的合作关系。”该公司计划未来与英特尔以外的其他公司和研究机构合作，以加速研发进程。
此次公告发布之际，业界正努力应对存储和内存硬件短缺的问题。今年宣布的许多人工智能数据中心建设项目的规模和范围似乎让市场措手不及，导致容量紧张。
2025年1月，《华尔街日报》报道称，TrendForce 的数据显示，2026 年全球生产的内存中，高达 70% 将被数据中心消耗。
存储芯片制造商三星和SK海力士也都警告称，存储芯片短缺的情况可能会持续到2027年，而随着产能越来越多地分配给人工智能基础设施项目，消费电子产品可能会受到持续短缺的影响最大。
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发表于 2026-2-5 10:28:49